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根据本发明的方法包括提供一种具有底层(16)，第一舍弃顶层(17)和绝缘层(18)的晶片(15)，设计第一舍弃层的结构以形成第一结构层被沉积在其上的三维结构，从而在第一结构层的下表面上勾勒出对应的三维结构。该方法也包括在第一结构层的上表面上...
该专利属于麦卡提斯有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过麦卡提斯有限责任公司授权不得商用。

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