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本发明公开了一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法，应用于具有氮化硅层和氧化层的半导体结构的刻蚀工艺，且氮化硅层覆盖于氧化层的上表面，方法包括：采用包含有添加剂的磷酸化学液对所述氮化硅层进行刻蚀工艺；其中，添加剂的材质为氮化硅和/或类氮化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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