一种太阳能电池硅片的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池硅片的清洗方法，包括步骤：采用臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，使硅片表面产生氧化层；采用氢氟酸溶液对硅片进行表面腐蚀处理；对硅片进行漂洗。本发明专利技术清洗方法先以臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，能够有效地氧化硅片表面沾污的有机物污质，并氧化硅片表面形成氧化膜；然后通过氢氟酸溶液对硅片进行腐蚀清洗，去除表面的金属污质，并腐蚀掉表面的氧化膜，在腐蚀掉表面氧化膜的同时去除了表面污质，从而实现对硅片表面的清洗。本发明专利技术清洗方法中采用臭氧水溶液，臭氧水溶液与表面有机物污质反应产生CO2和H2O，对人体无危害性，且臭氧水溶液产生的废液对环境污染小，不需要进行特殊处理。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，包括步骤：S1：采用臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，使硅片表面产生氧化层；S2：采用氢氟酸溶液对硅片进行表面腐蚀处理；S3：对硅片进行漂洗。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯玥玥，金井升，黄纪德，蒋方丹，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33