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本发明公开了一种12英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀方法，需根据硅片的尺寸配置酸腐蚀液，并设定腐蚀液温度、腐蚀时间、酸腐蚀液循环量、排酸腐蚀液量和补酸腐蚀液量；所述酸腐蚀液为氢氟酸、硝酸、醋酸的混合物，且各组分所占的重量百分比为：氢氟酸占9%-26...该专利属于江苏顺大半导体发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏顺大半导体发展有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种12英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀方法，需根据硅片的尺寸配置酸腐蚀液，并设定腐蚀液温度、腐蚀时间、酸腐蚀液循环量、排酸腐蚀液量和补酸腐蚀液量；所述酸腐蚀液为氢氟酸、硝酸、醋酸的混合物，且各组分所占的重量百分比为：氢氟酸占9%-26...