【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于制造半导体器件的单晶硅衬底双面抛光片。单晶硅是制造半导体器件的重要材料，但单晶硅经研磨后，其表面损伤层深度仍有10 um左右，这样的单晶硅片还不能直接用来制作半导体器件和集成电路，因而需要抛光，但目前由于技术上的原因，市场上只有单晶硅衬底的单面抛光片销售，这种单面抛光片用于制作半导体器件和集成电路时，会造成这些半导体器件和集成电路的电性能不一致，从而影响产品的性能。本技术的目的是提供一种用于制造高性能的半导体器件和集成电路的单晶硅衬底双面抛光片，以解决现有单面抛光片存在的问题。为实现上述专利技术目的，本技术所采用的技术方案是单晶硅衬底双面抛光片，特征是所述单晶硅衬底(1)的双面均具有抛光层，且双面的抛光层同片总厚度变化△TTV＜10 um。采用本技术提供的单晶硅衬底双面抛光片来制造半导体器件和集成电路电性能一致好、稳定，因而可以用来生产高质量的双向晶闸管、放电管。附图说明图1是本技术的结构示意图。以下结合附图来进一步描述本技术。如图1所示的一种用于制造高性能的半导体器件和集成电路的单晶硅衬底双面抛光片，其单晶硅衬底1的双面具有抛光层2、3，抛光层表面光亮、清洁，无划道，凸凹点，裂纹，蹦边等异常现象，且双面的抛光层2、3同片总厚度变化△TTV＜10 um。
【技术保护点】
单晶硅衬底双面抛光片，特征是所述单晶硅衬底（１）的双面具有抛光层（２）、（３），且双面的抛光层（２）、（３）同片总厚度变化ΔＴＴＶ＜１０ｕｍ。
【技术特征摘要】
1.单晶硅衬底双面抛光片，特征是所述单晶硅衬底(1)的双面具有抛光层(2...
【专利技术属性】
技术研发人员：喻勤建，邓建伟，周理明，
申请(专利权)人：喻勤建，邓建伟，周理明，
类型：实用新型
国别省市：43[中国|湖南]
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