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本实用新型公开的一种用于制造高性能的半导体器件和集成电路的单晶硅衬底双面抛光片，其单晶硅衬底（１）的双面具有抛光层（２）、（３），且双面的抛光层（２）、（３）同片总厚度变化ΔＴＴＶ〈１０ｕｍ。采用这种单晶硅衬底双面抛光片制造的半导体器件和集...
该专利属于喻勤建;邓建伟;周理明所有，仅供学习研究参考，未经过喻勤建;邓建伟;周理明授权不得商用。

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