【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种是一种运用在双结薄膜太阳能电池的新技术。在双结的接面上多加上一道制程，形成良好的穿隧效应，且于此接面发生光二次散射，增加光行进距离，使双结薄膜太阳能电池效率达到加成效果，以增加太阳能电池发电效率。
技术介绍
由于现在太阳能产业为了有效提升太阳能电池效率，纷纷由单结太阳能电池转成双结太阳能电池。而双结太阳能电池在串联两个电池时，其接面扮演相当重要的角色，若无良好的穿隧结产生，两个太阳能电池堆栈在一起将无法有加乘效果，所以能在此接面产生良好的穿隧结，且在此接面若能有二次光散射，将可大大提升太阳能电池之效率，增加其产业竞争力。专利技术说明 本专利技术主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，接着在透明氧化层表面进行离子轰击，使其表面形成凹凸绒状结构，可作为光二次散射之接面，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之结构也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。具体实施方法...
【技术保护点】
本专利技术主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，接着在透明氧化层表面进行离子轰击，使其表面形成凹凸绒状结构，可作为光二次散射之接面，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之结构也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。
【技术特征摘要】
1.本发明主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，接着在透明氧化层表面进行离子轰击，使其表面形成凹凸绒状结构，可作为光二次散射之接面，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之结构也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。2.根据权利要求1所叙述的一种内部光二次散射之高效率双结薄膜太阳能电池技术，皆适用于N-1-P(N-...
【专利技术属性】
技术研发人员：简唯伦，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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