半导体光学器件制造技术

一种半导体光学器件包括：第一包覆层、第二包覆层以及夹设于第一包覆层与第二包覆层之间的光波导层；其中该光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖第二半导体层的顶表面；以及其中该第一半导体层包括：n型区域，布置在第二半导体层的一侧；p型区域，布置在第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在n型区域与p型区域之间，以及其中第二半导体层的带隙比第一半导体层和第三半导体层的带隙窄。采用该半导体光学器件，可以减少半导体光学器件的功率消耗或缩短器件长度。

【技术实现步骤摘要】
半导体光学器件
本文讨论的实施例涉及一种半导体光学器件。
技术介绍
近些年来，在SOI (绝缘体上硅)衬底上形成的半导体光学器件受到了关注。该半导体光学器件包括:第一包覆层；第二包覆层；以及夹设于第一包覆层和第二包覆层之间的光波导层。该光波导层包括:i型芯(COre);n型平板部，其比芯薄且布置在其一侧；以及P型平板部，比芯薄且布置在芯的与η型平板层相对的一侧。这样，在SOI衬底上形成的半导体光学器件是包括p-1-n同质结的光波导器件(在下文中，称为同质结光波导器件)(例如，参考日本特开专利公开2004-325914 ；L.Naval,R.Jalali, L.Gomelsky,以及 J.M.Liu, “运行于 1.3um 的 Sil-xGex/Si 波导光检测器的优化”，光波技术杂志，Vol.14，pp.787-797，1996 ；以及 Chris G.Van de Walle 和 RichardM.Martin, ^ Si/Ge系统中的异质结不连续的理论计算”，Vol.34，pp.5621-5633，1986)。当电压被施加到同质结光波导器件的P型平板部与η型平板部之间时，载流子被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光学器件，包括：第一包覆层、第二包覆层以及夹设于所述第一包覆层和所述第二包覆层之间的光波导层；其中所述光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在所述第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖所述第二半导体层的顶表面；以及其中所述第一半导体层包括：n型区域，布置在所述第二半导体层的一侧；p型区域，布置在所述第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在所述n型区域与所述p型区域之间；以及其中所述第二半导体层的带隙比所述第一半导体层和所述第三半导体层的带隙窄。

【技术特征摘要】
2011.11.21 JP 2011-2544451.一种半导体光学器件，包括: 第一包覆层、第二包覆层以及夹设于所述第一包覆层和所述第二包覆层之间的光波导层； 其中所述光波导层包括:第一半导体层；第二半导体层，布置在所述第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖所述第二半导体层的顶表面；以及 其中所述第一半导体层包括:n型区域，布置在所述第二半导体层的一侧；p型区域，布置在所述第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在所述η型区域与所述P型区域之间；以及 其中所述第二半导体层的带隙比所述第一半导体层和所述第三半导体层的带隙窄。2.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其中所述第三半导体层还覆盖所述第二半导体层的侧面。3.根据权利要求1或2所述的半导体光学器件，其中所述第二半导体层的所述带隙被设定为:使得由注入到三层肋部中的载流子产生的所述三层肋部的等效折射率变化的绝对值比由注入到二层肋部中的载流子产生的所述二层肋部的等效折射率变化的绝对值大，所述三层肋部包括所述第二半导体层、所述第三半导体层以及在所述第二半导体层下侧的所述第一半导体层，所述二层肋部包括 所述第二半导体层以及在所述第二半导体层下侧的所述第一半导体层，并且所述二层肋部具有与所述三层肋部相同的大小。4.根据权利要求1所述的半导体光学器件，还包括: 凹槽，布置在所述i型区域上； 其中所述第二半导体层被布置在所述凹槽上，并且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱雷，关口茂昭，田中信介，河口研一，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：