光电子半导体器件和散射体制造技术

在光电子半导体器件（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体器件具有一个光电子半导体芯片（2）。此外，半导体器件（1）包括至少一个散射体（34），所述散射体包含辐射能穿透的基体材料（3）和嵌入其中的由颗粒材料构成的散射颗粒（4）。散射体（34）设置在半导体芯片（2）下游。在温度改变时，基体材料（3）和颗粒材料之间的折射率差异改变。在温度为300K时，基体材料（3）和颗粒材料之间的折射率差异最高为0.15。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术提出一种光电子半导体器件。此外，提出一种用于光电子半导体器件的散射体。
技术实现思路
要实现的目的在于提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件显示出近似稳定的光谱发射特性。此外，要实现的目的在于提出一种用于这样的半导体器件的散射体。根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件包括一个或多个光电子半导体芯片。所述半导体芯片尤其为基于II1-V-半导体材料的半导体芯片。例如，半导体芯片基于例如为AlnIrvnGamN的氮化物化合物半导体材料或者基于AlnIrvnGamP,其中相应地O彡η彡1，0彡m彡I并且n+m彡I。在此，所述材料能够具有一种或多种掺杂物以及附加的成分。然而，为了简单性，仅提出晶格的主要成分，也就是Al、Ga、In、N或P，即使所述主要成分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充。优选地，光电子半导体芯片设置成，在半导体器件运行时，产生例如在蓝色的、绿色的、黄色和/或红色的光谱范围内的可见辐射。所述辐射产生优选地在至少一个有源区中进行，所述有源区包含至少一个量子阱结构和/或至少一个pn结。半导体器件的全部半导体芯片能够是结构相同的。替选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.20 DE 102010034915.11.光电子半导体器件(1)，具有: -一个或多个光电 子半导体芯片(2),以及 -至少一个散射体(34)，所述散射体具有辐射能穿透的基体材料(3)和嵌入到所述基体材料中的由颗粒材料构成的散射颗粒(4)，并且所述散射体设置在至少一个所述半导体芯片(2)下游， 其中当温度改变时，所述基体材料(3)和所述颗粒材料之间的折射率差异改变，并且所述基体材料(3)和所述颗粒材料之间的所述折射率差异在温度为300K时最高为0.15。2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体器件(1)， 其中所述颗粒材料在温度为300K时具有与所述基体材料相比更小的折射率。3.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)， 其中，在300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内，所述基体材料(3 )的折射率随着温度升高而降低。4.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)， 其中，在300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内，所述颗粒材料(3 )的折射率随着温度升高而上升。5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)， 其中，在300K至375K的、其中包括边界值的温度范围内，所述基体材料(3)和所述颗粒材料之间的所述折射率差异随着温度升高而降低。6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)， 其中在375K至450K的、其中包括边界值的温度范围内的至少一个温度下，对在工作时在所述半导体芯片(2)中产生的辐射而言，所述散射颗粒(4)的平均散射横截面为在温度为300K时所述散射颗粒(4)的平均散射横截面的最高25%。7.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)， 其中所述基体材料(3)和所述颗粒材料之间的所述折射率差异在温度为300K时为最低0.02和/或在温度为400K时为最高0.01。8.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)， 其中所述基体材料(3)包含或者为下述材料之一或由至少两种下述材料组成的混合物:硅树脂、环氧化物、聚氨酯、丙烯酸酯、聚碳酸酯。9.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件(1)， 其中所述颗粒材料在300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内是透明的以及清...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉尔夫·维尔特，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
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