具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法及该太阳能电池技术
【技术实现步骤摘要】
具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法及该太阳能电池
本专利技术涉及一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，尤其涉及一种在硅基板上以化学湿式药剂或以干蚀刻制程蚀刻出弯曲状沟槽的方法，特别是指使用此方法制作具有埋入式电极的硅基板太阳能电池。
技术介绍
一般具有埋入式电极的太阳能电池（Buried-ContactSolarCell），是指在该太阳能电池的照光侧表面，亦即前表面制作沟槽数组（TrenchArray），并于沟槽内镀制或铺设金属电极，如图6所示，其为中国台湾专利第201110372号「以印刷涂布形成屏蔽而制作埋入式电极太阳能电池之方法以及该太阳能电池」，此专利即为一个具有埋入式电极15的P-N接面太阳能电池。该已知太阳能电池的硅基板（SiliconWafer）大多具有P型电性，其前表面的沟槽一般是以激光雕刻制成而呈直线状排列，且在沟槽内电极周边的硅区域为掺杂浓度较高的第一N型层14（即n++层），非沟槽的硅区域则为掺杂浓度较低的第二N型层12（即n+层）。制作此具有选择性射极（SelectiveEmitter）与埋入式电极方法之一，是先在低掺杂浓...
【技术保护点】
一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法是使用耐蚀刻的材料，以印刷方式涂布于一硅半导体基板的前表面上，经固化后作为屏蔽层，使受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域不受蚀刻剂侵蚀，而仅对未受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域进行蚀刻，以在该硅半导体基板的前表面产生数条弯曲状沟槽，且该些数条弯曲状沟槽在几何图形上至少具有一条轨迹不含有长度超过该硅半导体基板尺寸的最小径长五分之二的直线线段；其中，上述硅半导体基板掺杂有致使其具有特定电性的掺杂元素，且该些数条弯曲状沟槽的深度至少为该硅半导体基板厚度的六分之一，以及该些数条弯曲状沟槽的开口宽度至少为30微米。
【技术特征摘要】
1.一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法是使用耐蚀刻的材料，以印刷方式涂布于一硅半导体基板的前表面上，经固化后作为屏蔽层，使受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域不受蚀刻剂侵蚀，而仅对未受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域进行蚀刻，以在该硅半导体基板的前表面产生数条弯曲状沟槽；其中，所述硅半导体基板掺杂有致使其具有特定电性的掺杂元素，且该些数条弯曲状沟槽的深度至少为该硅半导体基板厚度的六分之一，以及该些数条弯曲状沟槽的开口宽度至少为30微米；所述数条弯曲状沟槽的线条在几何图形上由数条直线线段构成，至少具有一条轨迹不含有长度超过该硅半导体基板尺寸的最小径长五分之二的直线线段，且在该硅半导体基板相邻导流排之间的至少一个1平方公分的正方形完整面积内至少具有一条直线的转折，该转折形成两直线线段夹角不属于160度与200度之间的角度。2.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述数条直线线段至少含有一处交错的状态。3.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述蚀刻剂为进行干蚀刻所用的化学气体或进行湿蚀刻所用的化学药水。4.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述耐蚀刻的材料为一种至少含氧化硅、高分子聚合物、金属或金属化合物的膏状物。5.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅半导体基板的前表面含有粗纹化结构，且这些弯曲状沟槽区域之外的表面具有一作为减缓掺杂元素扩散进入该硅半导体基板内部的阻挡层，并在掺杂元素扩散进入该些弯曲状沟槽区域表面时形成一与该硅半导体基板电性相反的第一电性层，以及同时在未受蚀刻的非沟槽区域表面形成一第二电性层，且该第一电性层的掺杂浓度不小于该第二电性层的掺杂浓度。6.如权利要求5所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一电性层以及该第二电性层形成于该硅半导体基板之后，成长一介电质层于该硅半导体基板前表面。7.如权利要求5所述的具弯曲状埋入式...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢芳吉，王立康，
申请(专利权)人：江苏艾德太阳能科技有限公司，王立康，
类型：发明
国别省市：
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