本申请公开了一种光阻的去除方法、半导体器件的制作方法及半导体器件。其中，光阻形成于半导体基体上，该去除方法包括以下步骤：湿法刻蚀光阻，湿法刻蚀工艺在半导体基体上产生光阻残留物；干燥含有光阻残留物的半导体基体；湿法去除光阻残留物。该去除方法通过湿法刻蚀光阻并在半导体基体上产生光阻残留物，然后干燥含有光阻残留物的半导体基体，使得光阻残留物和半导体基体之间的刻蚀液得以去除，并减少了光阻残留物和半导体基体之间由于刻蚀液的表面张力引起的粘结力，从而更有利于通过后续湿法工艺去除光阻残留物，进而减少了光阻去除过程中产生的光阻残留物。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路的
，具体而言，涉及一种光阻的去除方法、半 导体器件的制作方法及半导体器件。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，通常需要在半导体基体上形成光阻，然后对未被光 阻覆盖的半导体基体进行工艺操作（例如刻蚀或离子注入等），最后再去除光阻。目前，主 要通过湿法刻蚀工艺去除光阻，湿法刻蚀所采用的刻蚀液通常为硫酸溶液。然而，通过上述 湿法刻蚀工艺很难完全去除光阻，从而会在半导体基体上产生光阻残留物，该光阻残留物 会影响后续工艺制程，进而影响器件的性能。而且，对未被光阻覆盖的半导体基体进行的工 艺操作往往会导致光阻变更加致密，进而导致光阻更难去除。 下面以闪存器件的制作过程为例，进一步阐述光阻的形成及去除过程。具体地，闪 存器件的制作过程包括以下步骤：形成包括形成于衬底上的至少一对栅极结构（包括浮栅 氧化物、浮栅、栅介质层、控制栅和侧壁介质层），以及形成于每对栅极结构的外侧和内侧的 衬底上的氧化物层的半导体基体；在位于每对栅极结构的内侧的氧化物层上形成光阻；通 过干法刻蚀减薄位于每对栅极结构的外侧的氧化物层；湿法刻蚀去除位于每对栅极结构的 外侧的剩余氧化物层；采用硫酸溶液刻蚀去除光阻。其中，干法刻蚀氧化物层的步骤会使得 光阻更加致密，因此，采用硫酸溶液很难完全去除光阻，从而在半导体基体上产生光阻残留 物。 目前，本领域的技术人员尝试通过增加湿法刻蚀的时间或采用新的刻蚀液，以期 完全去除半导体基体上的光阻残留物。然后，实验结果证明这些方法的作用很有限，并不能 完全去除光阻残留物。因此，如何完全去除半导体基体上的光阻残留物以提高器件的性能， 成为本领域中亟待解决的技术难题。
技术实现思路
本申请旨在提供一种光阻的去除方法、半导体器件的制作方法及半导体器件，以 减少光阻去除过程中产生的光阻残留物。 为了实现上述目的，本申请提供了一种光阻的去除方法，光阻形成于半导体基体 上，该去除方法包括以下步骤：湿法刻蚀光阻，湿法刻蚀工艺在半导体基体上产生光阻残留 物；干燥含有光阻残留物的半导体基体；湿法去除光阻残留物。 进一步地，干燥含有光阻残留物的半导体基体的步骤包括：采用干燥气体吹干半 导体基体。 进一步地，干燥气体为氮气、氩气或空气。 进一步地，在采用干燥气体吹干半导体基体之前，采用挥发性溶剂浸泡半导体基 体。 进一步地，挥发性溶剂为乙醇、异丙醇或丙酮。 进一步地，湿法刻蚀所采用的刻蚀液为硫酸与双氧水的混合溶液或硫酸溶液。 进一步地，湿法刻蚀的步骤中，刻蚀液的温度为110~130°C。 进一步地，湿法去除光阻残留物的步骤包括：采用硫酸与双氧水的混合溶液或硫 酸溶液刻蚀光阻残留物；采用清洗试剂去除光阻残留物。 进一步地，清洗试剂为氨水和双氧水的混合溶液和/或盐酸和双氧水的混合溶 液。 本申请还提供了一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括以下步骤：形成半 导体基体，半导体基体包括形成于衬底上的至少一对栅极结构，以及形成于每对栅极结构 的外侧和内侧的衬底上的氧化物层；在位于每对栅极结构的内侧的氧化物层上形成光阻； 去除位于每对栅极结构的外侧的氧化物层；采用本申请提供的光阻的去除方法去除光阻。 进一步地，去除位于每对栅极结构的外侧的氧化物层的步骤包括：通过干法刻蚀 减薄位于每对栅极结构的外侧的氧化物层；湿法刻蚀去除位于每对栅极结构的外侧的剩余 氧化物层。 进一步地，半导体器件为闪存器件，栅极结构包括依次形成于衬底上的浮栅氧化 物、浮栅、栅介质层和控制栅，以及形成于浮栅氧化物、浮栅、栅介质层和控制栅的侧壁上的 侧壁介质层。 进一步地，制作方法还包括：在位于每对栅极结构的内侧的氧化物层上形成擦除 栅，并在位于每对栅极结构的外侧的衬底上形成字线栅。 本申请还提供了一种半导体器件，该半导体器件由本申请上述的半导体器件的制 作方法制作而成。 应用本申请的技术方案，通过湿法刻蚀光阻并在半导体基体上产生光阻残留物， 然后干燥含有光阻残留物的半导体基体，使得光阻残留物和半导体基体之间的刻蚀液得以 去除，并减少了光阻残留物和半导体基体之间由于刻蚀液的表面张力引起的粘结力，从而 更有利于通过后续湿法工艺去除光阻残留物，进而减少了光阻去除过程中产生的光阻残留 物。【附图说明】 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示 意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中： 图1示出了本申请实施方式所提供的光阻的去除方法的流程示意图； 图2示出了本申请实施方式所提供的半导体器件的制作方法的流程示意图； 图3示出了在本申请实施方式所提供的半导体器件的制作方法中，形成半导体基 体，半导体基体包括形成于衬底上的至少一对栅极结构，以及形成于每对栅极结构的外侧 和内侧的衬底上的氧化物层后的基体的剖面结构示意图； 图4示出了在位于每对栅极结构的内侧的氧化物层上形成光阻后的基体的剖面 结构示意图； 图5示出了通过干法刻蚀减薄位于每对栅极结构的外侧的氧化物层后的基体的 剖面结构示意图； 图6示出了湿法刻蚀去除位于每对栅极结构的外侧的剩余氧化物层后的基体的 剖面结构示意图； 图7示出了湿法刻蚀光阻，且湿法刻蚀工艺在半导体基体上产生光阻残留物后的 基体的剖面结构示意图； 图8示出了干燥含有光阻残留物的半导体基体，并湿法去除光阻残留物后的基体 的剖面结构示意图；以及 图9示出了在位于每对栅极结构的内侧的氧化物层上形成擦除栅，并在位于每对 栅极结构的外侧的衬底上形成字线栅后的基体的剖面结构示意图。【具体实施方式】 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。 需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述【具体实施方式】，而非意图限制根 据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式 也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用属于"包含"和/或"包 括"时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。 为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如"在……之上"、"在……上方"、 "在……上表面"、"上面的"等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特 征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位 之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为"在其他器 件或构造上方"或"在其他器件或构造之上"的器件之后将被定位为"在其他器件或构造下 方"或"在其他器件或构造之下"。因而，示例性术语"在……上方"可以包括"在……上方" 和"在……下方"两种方位。该器件也可以其他不同方式定位（旋转90度或处于其他方 位），并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。正如
技术介绍
中所介绍的，现有光阻的去除方法很难完全去除光阻，从而会在半 导体基体上产生光阻残留物，进而影响器件的性能。本申请的专利技术人针对上述问题进行研 究，从而提供了一种光阻的去除方法。其中，光阻形成于半导体基体上，如图1所示，该去除 方法包括以下步骤：湿法刻蚀光阻，湿法刻蚀工艺在半导体基体上产生光阻残留物；干燥 含有光阻残本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光阻的去除方法，所述光阻形成于半导体基体上，其特征在于，所述去除方法包括以下步骤：湿法刻蚀所述光阻，所述湿法刻蚀工艺在所述半导体基体上产生光阻残留物；干燥含有所述光阻残留物的所述半导体基体；湿法去除所述光阻残留物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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