一种光敏器件及显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光敏器件及光敏装置，用以在低温多晶硅薄膜晶体管中实现对光线强弱识别的目的。在本发明专利技术中，该光敏器件包括作为控制开关的顶栅型第一薄膜晶体管以及与第一薄膜晶体管连接且作为光敏单元的顶栅型第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管中栅极至少部分透明，且对应第二薄膜晶体管中的部分有源层，以在两个薄膜晶体管同时导通时实现对进入第二薄膜晶体管的光线强弱的识别，另外，第二薄膜晶体管的存在，能够有效区分不同光线照射下输出信号端的电流信号的读取情况，提升该光敏器件的灵敏度。该光敏器件在顶栅型薄膜晶体管中实现了对光线强弱的感应，有效扩展了光敏器件适用范围；而且，其识别效率以及速度相对较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种光敏器件及显示面板、显示装置。
技术介绍
现有的光敏器件一般都是由二极管制作而成，其光敏效果并不理想。而且，目前出现的非晶硅薄膜晶体管制作而成的光敏器件的灵敏度不高，为此，亟需找到一种在低温多晶硅薄膜晶体管领域使用的光敏器件。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种光敏器件及光敏装置，用以在低温多晶硅薄膜晶体管中实现对光线强弱识别的目的。本专利技术实施例采用以下技术方案：一种光敏器件，包括：作为控制开关的第一薄膜晶体管，以及与所述第一薄膜晶体管连接且作为光敏单元的第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为顶栅型薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管中栅极至少部分透明，该栅极的透明区域对应所述第二薄膜晶体管中的部分有源层，以在所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管同时导通时实现对进入该第二薄膜晶体管的光线强弱的识别。可选地，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。可选地，所述第一薄膜晶体管的源极为光敏器件的输出信号端，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极连接，所述第二薄膜晶体管的...

【技术保护点】
一种光敏器件，其特征在于，包括：作为控制开关的第一薄膜晶体管，以及与所述第一薄膜晶体管连接且作为光敏单元的第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为顶栅型薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管中栅极至少部分透明，该栅极的透明区域对应所述第二薄膜晶体管中的部分有源层，以在所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管同时导通时实现对进入该第二薄膜晶体管的光线强弱的识别。

【技术特征摘要】
1.一种光敏器件，其特征在于，包括：作为控制开关的第一薄膜晶体管，以及与所述第一薄膜晶体管连接且作为光敏单元的第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为顶栅型薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管中栅极至少部分透明，该栅极的透明区域对应所述第二薄膜晶体管中的部分有源层，以在所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管同时导通时实现对进入该第二薄膜晶体管的光线强弱的识别。2.如权利要求1所述的光敏器件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的光敏器件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源极为光敏器件的输出信号端，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极连接，所述第二薄膜晶体管的漏极为所述光敏器件的输入信号端。4.如权利要求1-3任一项所述的光敏器件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极分别连接不同的控制信号线。5.如权利要求1-3任一项所述的光敏器件，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接同一条控制信号线。6.如权利要求1-3任...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，董学，薛海林，王海生，陈小川，丁小梁，杨盛际，许睿，李昌峰，刘伟，王鹏鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11