A low etching photoresist cleaning solution comprising (a) an alcohol amine (b) solvent (c), a water (d) corrosion inhibitor (E), an aldehyde compound. The cleaning liquid without fluoride and hydroxylamine, and can quickly remove the photoresist after hard bake, dry etching, ashing and plasma implantation caused by complex chemical changes after crosslinking hardening, can achieve the removal of metal wire (metal) and hole (via) and metal pad (Pad) photoresist residues on the wafer. At the same time, the substrate (such as aluminum, tungsten metal, non-metallic silicon dioxide) basically no attack. The cleaning liquid of the invention has good application prospect in the field of semiconductor wafer cleaning and the like.
【技术实现步骤摘要】
一种低蚀刻的光阻清洗液组合物
本专利技术涉及一种用于半导体晶片清洗的清洗液,尤其涉及一种不含氟化物和羟胺的低蚀刻性的光阻清洗液组合物。
技术介绍
在半导体元器件的制造过程中,光阻层的涂敷、曝光和成像等图案制造工艺是其必不可少的工艺步骤。但在该图案化工艺(光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻)之后,会有部分光阻层材料残留物存在材料表面,所以,在进行下一道工艺步骤之前,需彻底清除该光阻材料残留物。通常,在半导体器件的制程中需使用几十次光刻工艺,且半导体等离子蚀刻气体的离子及自由基会诱发其与光刻胶发生复杂的化学反应,使得光刻胶迅速与无机物交联硬化,从而光阻层变得不易溶解,更难于去除。在半导体工艺中,光阻层膜的去除工艺要求:只能除去残留的聚合物光阻层和无机物,而不能攻击损害金属层如铝层。目前,在半导体制造工业中一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层(PR)的大部分;第二步利用缓蚀剂组合物湿蚀刻/清洗工艺除去且清洗掉剩余的光阻层,该步骤一般为清洗液清洗/漂洗/干燥。而,在湿法清洗工艺中,用得最多的清洗液是含有羟胺类和含氟类的清洗液,典型的羟胺类清洗液专利有US6319885、US5672577、US6030932、US6825156、US5419779和US6777380B2等。经过不断改进,此类清洗液溶液本身对金属铝的腐蚀速率已经大幅降低,但由于使用羟胺,会使清洗液存在来源单一、易爆炸等问题。而现存的氟化物类清洗液虽然有了较大的改进,如US5,972,862、US6,828,289等,但仍然存在不能很好地同时控制金属和非金属 ...
【技术保护点】
一种低蚀刻的光阻清洗液组合物,所述清洗液组合物,其特征在于,含有醇胺、溶剂、水、醛类化合物以及腐蚀抑制剂。
【技术特征摘要】
1.一种低蚀刻的光阻清洗液组合物,所述清洗液组合物,其特征在于,含有醇胺、溶剂、水、醛类化合物以及腐蚀抑制剂。2.如权利要求1所述的清洗液组合物,其中,所述的醇胺为脂肪族的醇胺。3.如权利要求2所述的清洗液组合物,其中,所述的醇胺为单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、N,N-二甲基基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。4.如权利要求1所述的清洗液组合物,其中,所述的醇胺的含量为10%-70%。5.如权利要求4所述的清洗液组合物,其中,所述的醇胺的含量为10%-60%。6.如权利要求1所述的清洗液组合物,其中,所述的溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。7.如权利要求6所述的清洗液组合物,其中,所述的亚砜为二甲基亚砜;所述的砜为环丁砜;所述的咪唑烷酮为1,3-二甲基-2-咪唑烷酮;所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮;所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮;所述的酰胺为N,N-二甲基乙酰胺;所述的醇醚类为二元醇醚。8.如权利要求7中所述的清洗液组合物,其中,所述的二元醇醚选自乙二醇甲醚,乙二醇乙醚,乙二醇丁醚,二乙二醇甲醚,三乙二醇丁醚,丙二醇丁醚,丙二醇甲醚,二丙二醇甲醚、二丙二醇丁醚、丙二醇丁醚中的一种或几种。9.如权利要求1所述的清洗液组合物,其中,所述的溶剂的含量为10%-60%。10.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑玢,刘兵,孙广胜,黄达辉,
申请(专利权)人:安集微电子科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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