The present invention relates to four propyl bromide anhydrous stripping solution, mainly composed of four allyl bromide, silver oxide, propyl gallate, organic solvent, in which the ratio between the four components of allyl bromide: silver oxide: propylgallate: organic solvent =3 ~ 7:3:1:17. The organic solvent is a mixture of two organic solvents. The organic solvent is two dimethyl sulfoxide and diethylene glycol butyl ether mixture. Among them, four preparation methods of allyl bromide anhydrous stripping liquid comprises the following steps: 1, preparation of allyl bromide, four silver oxide mixed solution; 2, propyl gallate prepared semi-finished products, semi-finished products will be 3 solution; step 2 solution with other organic solvent, through wind stirring for 30 minutes; 4, step 3 in the mixed solution after 0.2 m filter. The use temperature of four propyl bromide anhydrous stripping liquid is 40 DEG C to 60 DEG C.
【技术实现步骤摘要】
四丙基溴化胺无水剥离液
本专利技术涉及干蚀刻领域,具体是四丙基溴化胺无水剥离液。
技术介绍
金属蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。金属蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻(dryetching)两类。通常所指金属蚀刻也称光化学金属蚀刻(photochemicaletching),指通过曝光制版、显影后,将要金属蚀刻区域的保护膜去除,在金属蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于减轻重量(WeightReduction)仪器镶板,铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工;经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密金属蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,金属蚀刻更是不可或缺的技术。在铝金属干蚀刻的技术上,经常会有残余物出现,这些残余物是在金属加气体加光刻胶后经过高温而形成的,同时铝金属也会受到干蚀刻气体腐蚀。目前还没有一种对铝金属特别有效的干蚀刻之后使用的专用的四丙基溴化胺无水剥离液。
技术实现思路
本专利技术正是针对以上技术问题,提供一种对铝金属特别有效的干蚀刻之后使用的专用的四丙基溴化胺无水剥离液。四丙基溴化胺无水剥离液,主要由四丙基溴化胺、没食子酸丙酯、氧化银、有机溶剂组成,其中,各组份之间的比例为四丙基溴化胺:没食子酸丙酯:氧化银:有机溶剂=3~7:3:1:17。有机溶剂为两种有机溶剂混合组成。有机溶剂为二甲基亚砜与二乙二醇丁醚组成。本专利技术还提供四丙基溴化胺无水剥离液的制备方法,包括 ...
【技术保护点】
四丙基溴化胺无水剥离液,主要由四丙基溴化胺、没食子酸丙酯、氧化银、有机溶剂组成,其中,各组份之间的重量比例为四丙基溴化胺:没食子酸丙酯:氧化银:有机溶剂=3~7:3:1:17。
【技术特征摘要】
1.四丙基溴化胺无水剥离液,主要由四丙基溴化胺、没食子酸丙酯、氧化银、有机溶剂组成,其中,各组份之间的重量比例为四丙基溴化胺:没食子酸丙酯:氧化银:有机溶剂=3~7:3:1:17。2.根据权利要求1所述四丙基溴化胺无水剥离液,其特征在于所述有机溶剂为两种有机溶剂混合组成。3.根据权利要求1所述四丙基溴化胺无水剥离液,其特征在于所述有机溶剂为二甲基亚砜与二乙二醇丁醚混合而成。4.根据权利要求1所述四丙基溴化胺无水剥离液,其特征在于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:王建荣,
申请(专利权)人:昆山欣谷微电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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