【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子器件领域,具体涉及一种具有注塑壳体、发射辐射的半导体芯片和探测辐射的半导体芯片的光电子器件。
技术介绍
已知的是,设计一种具有发射辐射的半导体芯片和探测辐射的半导体芯片的器件。然而,所述装置通常具有设置在隔开的壳体中并且彼此隔开地设置在例如电路板上的半导体芯片。然而发射辐射的半导体芯片的信号会影响探测辐射的半导体芯片,导致探测结果的偏差或失效,并且一般的,发射辐射的信号较强,而反馈回来的探测辐射的信号较弱,不易捕捉。
技术实现思路
基于解决上述封装中的问题,本专利技术提供了一种光电子半导体器件,具有注塑壳体、一个发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片,其中在所述注塑壳体中构成第一腔和第二腔,所述第一腔为由内壁和底壁围成的圆柱形腔,所述第二腔为由外壁和底壁围成的环绕第一腔的环形腔;所述发射辐射的半导体芯片具有适合于产生辐射的有源层并且所述发射辐射的半导体芯片设置在所述第一腔中,所述多个探测辐射的半导体芯片具有适合于探测辐射的有源层并且所述多个探测辐射的半导体芯片设置在所述第二腔中,并且所述多个探测辐射的半导体芯片均匀环绕布置在所述发射辐射的半导体芯片。根据本专利技术的实施例,还包括在所述第一腔的内壁的内侧涂覆的反射层。根据本专利技术的实施例,所述反射层的材质优选为银。根据本专利技术的实施例,还包括填充所述第一腔的第一填充料和填充所述第二腔的第二填充料。根据本专利技术的实施例,所述第一和第二填充料都包括环氧树脂材料。根据本专利技术的实施例,所述第二填充料中嵌入吸收颗粒,所述吸收颗粒适合于至少部分地吸收由所述发射辐射的半导体芯片发射的辐 ...
【技术保护点】
一种光电子半导体器件,具有注塑壳体、一个发射辐射的半导体芯片(2)和多个探测辐射的半导体芯片(3),其中在所述注塑壳体中构成第一腔和第二腔,所述第一腔为由内壁(4)和底壁围成的圆柱形腔,所述第二腔为由外壁(5)和底壁围成的环绕第一腔的环形腔;所述发射辐射的半导体芯片(2)具有适合于产生辐射的有源层并且所述发射辐射的半导体芯片(2)设置在所述第一腔中,所述多个探测辐射的半导体芯片(3)具有适合于探测辐射的有源层并且所述多个探测辐射的半导体芯片(3)设置在所述第二腔中,并且所述多个探测辐射的半导体芯片(3)均匀环绕布置在所述发射辐射的半导体芯片。
【技术特征摘要】
1.一种光电子半导体器件,具有注塑壳体、一个发射辐射的半导体芯片(2)和多个探测辐射的半导体芯片(3),其中在所述注塑壳体中构成第一腔和第二腔,所述第一腔为由内壁(4)和底壁围成的圆柱形腔,所述第二腔为由外壁(5)和底壁围成的环绕第一腔的环形腔;所述发射辐射的半导体芯片(2)具有适合于产生辐射的有源层并且所述发射辐射的半导体芯片(2)设置在所述第一腔中,所述多个探测辐射的半导体芯片(3)具有适合于探测辐射的有源层并且所述多个探测辐射的半导体芯片(3)设置在所述第二腔中,并且所述多个探测辐射的半导体芯片(3)均匀环绕布置在所述发射辐射的半导体芯片。2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件,其特征在于,还包括在所述第一腔的内壁的内侧涂覆的反射层(6)。3.根据权利要求2所述的光电子半导体器件,其特征在于,所述反射层的材质优选为...
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