全光单片集成光电器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种全光GaN/GaInP/GaAs单片集成器件及其制作方法，所述全光单片集成器件的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4ev，在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内，所述全光单片集成器件可以吸收利用与其带隙近似的不同能量光谱，分别为蓝光、黄光、红光，从而实现全光范围。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于光电
，特别是涉及一种。
技术介绍
目前应用于激光显示、微投影等的多色光电器件一般情况下都是采用将多个单色激光器(LED)通过光学透镜或者其他器件集成起来。不仅增加了成本，而且不利于小型化设备的制造。此外，晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺.利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料，制造传统外延生长技术不能制造的结构和器件；可以集成具有不同光电和机械特性的材料，实现优势互补.不同材料键合后，界面具有位错密度低，导电透光性好，化学和热稳定性好的特点，材料的本身性质和晶体结构基本不受影响，并且键合强度能满足器件加工工艺的要求.近年来，键合技术广泛应用于集成不同材料，制造新型器件，改善器件性能。GaAs是制备多种光电器件的优良材料。GaN是目前制备绿光到紫外波段的发光器件的首选材料，而且适合制造高频、大功率器件。将两者结合则成为制造电子器件的理想材料，可为实现全色显示开辟新思路.但是GaAs与GaN晶格失配较大，通过传统外延技术，不能得到满足器件制备要求并具有良好导电透光特性的GaAs / GaN异质结。
技术实现思路
本专利技术的目的提供一种，解决了现有技术中成本高、不利于小型化设备制造、以及传统外延技术得到的器件质量不高的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案: 本申请实施例公开一种全光单片集成光电器件，包括P型GaAs衬底，以及依次形成于P型GaAs衬底上的GalnP/AlGalnP有源区量子阱、η型GaAs接触层、η型GaN接触层、GaN /InGaN有源区量子阱和P型GaN接触层，所述全光单片集成光电器件为单片集成的单个器件。优选的，在上述的全光单片集成光电器件中，所述η型GaN接触层键合形成于所述η型GaAs接触层表面。优选的，在上述的全光单片集成光电器件中，所述全光单片集成光电器件为LED或光伏电池。相应地，本专利技术还公开了一种全光单片集成光电器件的制作方法，包括: S1、在P型GaAs衬底上依次生长GalnP/AlGalnP有源区量子阱和η型GaAs接触层，获得GaAs晶片； s2、在蓝宝石衬底上依次生长P型GaN接触层、GaN / InGaN有源区量子阱和η型GaN接触层，获得GaN晶片； S3、将η型GaAs接触层和η型GaN接触层进行键合； s4、剥离蓝宝石衬底。优选的，在上述的全光单片集成光电器件的制作方法中，所述步骤Si中，所述GalnP/AlGalnP有源区量子阱通过分子束外延方法生长于P型GaAs衬底上，生长温度控制为61(T730°C，生长压力控制为4?8MPa。优选的，在上述的全光单片集成光电器件的制作方法中，所述步骤s3中，键合前还包括:将GaAs晶片和GaN晶片依次在三氯乙烯/丙酮/乙醇中超声清洗，并在HCl溶液中浸泡去除表面氧化物，最后用去离子水清洗。优选的，在上述的全光单片集成光电器件的制作方法中，所述HCl溶液中，Hcl与H2O的体积比为1:5。与现有技术相比，本专利技术的优点在于:本专利技术利用GaN/GaAs键合方法提供一种全光GaN/GalnP/GaAs (3.5/1.9/1.4 ev)集成单片器件及其制作方法，中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内，GaN/GalnP/GaAs (3.5/1.9/1.4 ev)集成单片器件可以实现对全光的吸收利用，并且将不同带隙能量的激光器(LED)集成起来，制备成单片集成的单个器件，在应用上更加的方便实用。全光单片集成光电器件是利用直接键合方法通过掺杂浓度和退火时间的选择对界面电阻的影响，有效地将GaN/GaAs(3.5/1.4 ev)的两种带隙能量相差较大的材料结合起来，解决了因晶格不同而产生的失配问题。将二代半导体GaAs材料与三代半导体GaN材料进行了有效结合，与现有技术相比还减少了机械式连接中使用多个不同衬底所导致的高成本，实现了降低成本、工艺简化的目的。【附图说明】为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1所示为本专利技术具体实施例中全光单片集成光电器件的结构示意图。【具体实施方式】本专利技术利用在p-GaAs衬底上直接制备GalnP/AlGalnP (GaInP或AlGaInP)有源区量子阱，并在其上制备n+GaAs，实现了双色单片集成光电器件。进一步地，本专利技术利用GaN/GaAs直接键合的方法通过掺杂浓度和退火时间的选择对界面电阻的影响，有效地将GaN/GaAs两种带隙能量相差较大的材料结合起来，解决了因晶格不同而产生的失配问题，将二代半导体GaAs材料与三代半导体GaN材料进行了有效结合，与现有技术相比还减少了机械式连接中使用多个不同衬底所导致的高成本，实现了降低成本、工艺简化的目的。本专利技术还提供了一种全光GaN/GalnP/GaAs单片集成器件及其制作方法，所述全光单片集成器件的的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4 ev，在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内，所述全光单片集成器件可以吸收利用与其带隙近似的不同能量光谱，分别为蓝光、黄光、红光，从而实现全光范围。此外，本专利技术提供的该结构还可以应用于如LED、太阳电池等光电器件中。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本专利技术的实施方式仅仅是示例性的，并且本专利技术并不限于这些实施方式。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术，在附图中仅仅示出了与根据本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本专利技术关系不大的其他细节。参图1所示，本专利技术具体实施例中，全光单片集成光电器件包括P型GaAs衬底，p型GaAs衬底的带隙能量为1当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全光单片集成光电器件，其特征在于，包括p型GaAs衬底，以及依次形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱、n型GaAs接触层、n型GaN接触层、GaN／InGaN有源区量子阱和p型GaN接触层，所述全光单片集成光电器件为单片集成的单个器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任昕，陆书龙，边历峰，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32