本实用新型专利技术公开了一种复合背面电极太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背电场、P型硅、N+层、SiNx减反膜和Ag正电极，Al背电场、P型硅、N+层和减反膜为层叠式设置，所述Al背电场尺寸小于太阳能电池边缘尺寸，太阳能电池背面沉积Ag薄膜或Al薄膜，Ag薄膜覆盖所述Ag背电极、Al背电场和P型硅四周边缘区域；Al薄膜覆盖所述Al背电场和P型硅四周边缘区域。与现有技术相比，本实用新型专利技术具有如下有益效果：一方面能降低电极电阻；另一方面可以提高背面钝化效果，还具有制备简单，成本低，可以大大提高太阳能电池的转换效率的优点。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种复合背面电极太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池分为晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池，目前晶体硅太阳能电池是市场的主流，薄膜太阳能电池的份额不到10%。晶体硅太阳能电池分为多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池。现有的晶体硅太阳能电池的组成由下往上依次包括:Ag背电极1'、A1背电场2'、P型硅3'、N+层4'、减反膜5'和Ag正电极6'(如图1所示)，A1背电场2'、P型硅3'、N+层4'和减反膜5'为层叠式设置。背面电极由Ag背电极1'和A1背电场2'组成，Ag背电极1'的作用是保证组件制造时焊带和Ag背电极1'的焊接拉力；A1背电场2' —方面是导电，另一方面在太阳能电池背面形成p+层，具有背面钝化的效果，可以提升电池的转换效率。目前正面电极和背面电极主要是通过丝网印刷金属浆料的方法制备而成，由于金属浆料是流体，延展性很强，一旦金属浆料在印刷过程中污染硅片的边缘，不但会影响电池的外观，还会导致太阳能电池的漏电流增加，影响太阳能电池的品质。因此，目前的太阳能电池A1背场离硅片边缘的距离在0.3-1.0mm,以防止A1浆延展到硅片的边缘，这样就会使P型硅3'四周边缘区域裸露(如图1所示)，导致太阳能电池的钝化效率不理想，串联电阻不够低，对太阳能电池的转换效率的提升具有很大的阻力。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种复合背面电极太阳能电池，能提高太阳能电池的背面钝化效果，降低太阳能电池的串联电阻，大大提升电池的转换效率。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种复合背面电极太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、A1背电场、P型硅、N+层、SiNx减反膜和Ag正电极，A1背电场、P型硅、N+层和减反膜为层叠式设置，所述A1背电场尺寸小于太阳能电池边缘尺寸，太阳能电池背面沉积Ag薄膜或A1薄膜，Ag薄膜覆盖所述Ag背电极和A1背电场和P型硅四周边缘区域；A1薄膜覆盖所述A1背电场和P型硅四周边缘区域。作为上述方案的改进，所述P型硅四周边缘区域的宽度为0.3-1.0mm。作为上述方案的改进，所述Ag薄膜的厚度为200-1000nm，电阻率为1.2?1.5X10 6 Ω.cm0作为上述方案的改进，所述A1薄膜的厚度为200-1000nm，电阻率为2.2?2.6X10 6 Ω.cm0作为上述方案的改进，所述Ag薄膜和A1薄膜为采用磁控溅射的方法制备得到的薄膜。作为上述方案的改进，所述Ag背电极、A1背电场和Ag正电极为采用丝网印刷的方法制备而成。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果:Ag薄膜或A1薄膜沉积在太阳能电池的背面，一方面可以将丝网印刷制备的背面电极的孔洞进行填充，降低电极电阻；另一方面，在A1背场和P型硅四周边缘区域沉积金属薄膜，其中A1薄膜不但可以降低电极电阻，还可以提高背面钝化效果，Ag薄膜可以降低电极电阻，还具有制备简单，成本低，可以大大提高太阳能电池的转换效率的优点。【附图说明】图1是现有技术的太阳能电池正面电极结构示意图；图2是本技术的一种复合背面电极太阳能电池背面沉积Ag薄膜的结构示意图；图3是本技术的一种复合背面电极太阳能电池背面沉积A1薄膜的结构示意图。【具体实施方式】为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。如图2、图3所示，一种复合背面电极太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极1、A1背电场2、P型硅3、N+层4、SiNx减反膜5和Ag正电极6，A1背电场2、P型硅3、N+层4和减反膜5为层叠式设置，A1背电场2尺寸小于太阳能电池边缘尺寸，太阳能电池背面沉积Ag薄膜7或A1薄膜8，Ag薄膜7覆盖所述Ag背电极1和A1背电场2和P型硅3四周边缘区域；A1薄膜8覆盖所述A1背电场2和P型硅3四周边缘区域。P型硅四周边缘区域的宽度为0.3-1.0mm，具体的P型硅四周边缘区域的宽度为0.3、0.5、0.7和1.05，但不限于此。Ag薄膜的厚度为200-1000nm，电阻率为1.2?1.5X 10 6 Ω.cm，具体的Ag薄膜的厚度为 200nm、400nm、600nm、800nm 和 lOOOnm，但不限于此；电阻率为 1.2 X 10 6 Ω.cm、1.3 X 10 6 Ω.cm、1.4X 10 6 Ω.cm 和 1.5 X 10 6 Ω.cm，但不限于此。A1薄膜的厚度为200-1000nm，电阻率为2.2?2.6 X 10 6 Ω.cm，具体的A1薄膜的厚度为 200nm、400nm、600nm、800nm 和 lOOOnm，但不限于此；电阻率为 2.2 X 10 6 Ω.cm、2.3X10 6Ω.cm、2.5X10 6Ω.cm和2.6X 10 6Ω.cm，但不限于此。Ag薄膜和A1薄膜为采用磁控溅射的方法制备得到的薄膜;Ag背电极、A1背电场和Ag正电极为采用丝网印刷的方法制备而成。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果:Ag薄膜7或A1薄膜8沉积在太阳能电池的背面，一方面可以将丝网印刷制备的背面电极1的孔洞进行填充，降低电极电阻；另一方面，在A1背场2和P型硅3四周边缘区域沉积金属薄膜，其中A1薄膜8不但可以降低电极电阻，还可以提高背面钝化效果，Ag薄膜7可以降低电极电阻，还具有制备简单，成本低，可以大大提高太阳能电池的转换效率的优点。以上所述是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。【主权项】1.一种复合背面电极太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、A1背电场、P型硅、N+层、SiNx减反膜和Ag正电极，A1背电场、P型硅、N+层和减反膜为层叠式设置，所述A1背电场尺寸小于太阳能电池边缘尺寸，其特征在于:太阳能电池背面沉积Ag薄膜或A1薄膜，Ag薄膜覆盖所述Ag背电极、A1背电场和P型硅四周边缘区域；A1薄膜覆盖所述A1背电场和P型硅四周边缘区域。2.如权利要求1所述的一种复合背面电极太阳能电池，其特征在于，所述P型硅四周边缘区域的宽度为0.3-1.0mm。3.如权利要求1所述的一种复合背面电极太阳能电池，其特征在于，所述Ag薄膜的厚度为 200-1000nm，电阻率为 L 2 ?L 5 X 10 6 Ω.cm。4.如权利要求1所述的一种复合背面电极太阳能电池，其特征在于，所述A1薄膜的厚度为 200-1000nm，电阻率为 2.2 ?2.6 X 10 6 Ω.cmo5.如权利要求1所述的一种复合背面电极太阳能电池，其特征在于，所述Ag薄膜和A1薄膜为采用磁控溅射的方法制备得到的薄膜。6.如权利要求1所述的一种复合背面电极太阳能电池，其特征在于，所述Ag背电极、A1背电场和Ag正电极为采用丝网印刷的方法制备而成。【专利摘要】本技术公开了一种复合背面电极太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背电场、P型硅、N+层、SiNx减反膜和Ag正电极，Al背电场、P型硅、N+层和减反膜为层叠式设置，所述Al背电场尺寸小于太阳能电池边缘尺寸，太阳能电池背面沉积Ag薄膜或Al薄膜，Ag薄膜覆盖所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种复合背面电极太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背电场、P型硅、N+层、SiNx减反膜和Ag正电极，Al背电场、P型硅、N+层和减反膜为层叠式设置，所述Al背电场尺寸小于太阳能电池边缘尺寸，其特征在于：太阳能电池背面沉积Ag薄膜或Al薄膜，Ag薄膜覆盖所述Ag背电极、Al背电场和P型硅四周边缘区域；Al薄膜覆盖所述Al背电场和P型硅四周边缘区域。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石强，秦崇德，方结彬，黄玉平，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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