半导体装置和电子装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置和电子装置。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。

Semiconductor devices and electronic devices

A semiconductor device and an electronic device are provided. In a semiconductor device, the first active region has a first sigma shape, and the second active region has a second sigma shape. When perpendicular to the substrate and the side surface of the first gate electrode in the first region of the line is defined as the first vertical line, when perpendicular to the substrate and through the side surface of the second gate electrode in the second region of the line is limited to second vertical lines, when the shortest distance between the first and the first vertical line groove when the distance is defined as the first level, when the shortest distance between second vertical lines and second grooves are limited to second level when the distance between the first level and second level distance distance difference is equal to or less than 1nm.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和电子装置本申请是申请日为2013年6月4日，申请号为“201310219256.7”，专利技术名称为“具有嵌入式应变诱导图案的半导体装置及其形成方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术构思的实施例涉及具有嵌入基底中的应变诱导图案(strain-inducingpattern)的半导体装置及形成该半导体装置的方法。
技术介绍
为了改善半导体装置的电特性，已经研究了应变技术。例如，已经识别出可以通过向通道区域施加应力来改善载流子迁移率。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供具有在规则的位置处形成为遍及基底的应变诱导图案的半导体装置。本专利技术构思的其它实施例提供了形成具有在规则的位置处形成为遍及基底的应变诱导图案的半导体装置的方法。本专利技术构思的另一实施例提供了一种应用了具有应变诱导图案的半导体装置的电子设备。在一方面，一种半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域，第二区域的图案密度高于第一区域的图案密度，基底在延伸的水平方向上延伸。第一有源区域，限定在第一区域中；第一栅电极，位于第一有源区域上；第一沟槽，在第一有源区域中并且与第一栅电极偏移对齐；第一应变诱导图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：有源区域，限定在基底上；栅电极，位于有源区域上；轻掺杂漏极，在有源区域中并与栅电极相邻；沟槽，在有源区域中、与栅电极相邻、并设置在轻掺杂漏极的外部处；应变诱导图案，位于沟槽中，其中，有源区域包括：上表面；第一侧表面，面对应变诱导图案并位于上表面下方；第二侧表面，面对应变诱导图案并位于第一侧表面下方；第一边缘，设置在上表面和第一侧表面之间；第二边缘，位于第一侧表面和第二侧表面之间，其中，相对于垂直于基底并横过栅电极的侧表面的垂直线，第二边缘比第一边缘更加靠近，其中，第二边缘形成在轻掺杂漏极的表面上。

【技术特征摘要】
2012.06.04 KR 10-2012-00600481.一种半导体装置，包括：有源区域，限定在基底上；栅电极，位于有源区域上；轻掺杂漏极，在有源区域中并与栅电极相邻；沟槽，在有源区域中、与栅电极相邻、并设置在轻掺杂漏极的外部处；应变诱导图案，位于沟槽中，其中，有源区域包括：上表面；第一侧表面，面对应变诱导图案并位于上表面下方；第二侧表面，面对应变诱导图案并位于第一侧表面下方；第一边缘，设置在上表面和第一侧表面之间；第二边缘，位于第一侧表面和第二侧表面之间，其中，相对于垂直于基底并横过栅电极的侧表面的垂直线，第二边缘比第一边缘更加靠近，其中，第二边缘形成在轻掺杂漏极的表面上。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中：应变诱导图案包括第一半导体层、位于第一半导体层上的第二半导体层和位于第二半导体层上的第三半导体层，并且突出在比第一边缘高的水平位置处；有源区域包括n型杂质；轻掺杂漏极包括p型杂质；第一半导体层包括浓度比轻掺杂漏极的浓度高的p型杂质；第二半导体层包括浓度比第一半导体层的浓度高的p型杂质。3.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：第一分隔件，位于栅电极的侧表面上；第二分隔件，位于第一分隔件上，其中，第一分隔件与轻掺杂漏极直接接触。4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，第二分隔件与轻掺杂漏极和应变诱导图案直接接触。5.如权利要求4所述的半导体装置，其中：...

【专利技术属性】
技术研发人员：申东石，金明宣，南性真，朴判贵，郑会晟，李来寅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR