衬底的背面摩擦减小制造技术

本发明专利技术公开了衬底的背面摩擦减小。处理室系统包括被配置成将衬底固定在第一处理室内的衬底安装模块。该系统还包括被配置成向衬底的正面表面施加光敏膜的第一沉积模块以及被配置成向衬底的背面表面施加膜层的第二沉积模块。衬底的正面表面与背面表面相反。衬底具有第一摩擦系数的裸背面表面。在衬底的背面表面上形成膜层。形成在衬底的背面表面上的膜层具有第二摩擦系数。第二摩擦系数低于第一摩擦系数。

The friction of the back of the substrate decreases

The invention discloses the decrease of the friction on the back of the substrate. The processing chamber system includes a substrate installation module that is configured to fix the substrate in the first processing chamber. The system also includes a first deposition module configured to apply a photosensitive film to the front surface of the substrate, and a second deposition module configured to apply a film to the back surface of the substrate. The front surface of the substrate is opposite to the back surface. The substrate has the bare back surface with the first friction coefficient. A film is formed on the surface of the underside of the substrate. The film formed on the surface of the underside of the substrate has a second friction coefficient. Second the friction coefficient is lower than the first coefficient of friction.

【技术实现步骤摘要】
衬底的背面摩擦减小相关申请的交叉引用本申请要求于2016年7月21日提交的第62/365,228号美国临时申请的优先权，通过引用其全部内容被合并到本文中。
本申请涉及衬底的处理，特别涉及用于减小衬底的背面摩擦的系统、衬底和方法。
技术介绍
半导体工业中的集成电路(IC)的制造通常采用一系列处理步骤来对特征进行图案化以在硅衬底上形成IC。迭代的图案化处理会在图案层之间引入未对准误差，并且可能不会形成IC的实现预期目的图案化特征。随着IC几何尺寸随着时间的推移而减小，图案未对准对器件良率和性能的影响已经增加。因此，降低图案未对准的任何技术对IC制造商而言将是有利的。本文提供的“背景”描述出于总体上给出本公开内容的上下文的目的。本申请专利技术人在该背景部分中描述的程度上的工作以及说明书的没有以其他方式被限定为是提交时的常规技术的各个方面既不明确地也不暗示地被承认为是相对于本公开内容的常规技术。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种处理衬底的方法包括将衬底容纳于衬底处理室中。衬底具有正面表面以及与正面表面相反的背面表面。该方法还包括：在衬底的背面表面上形成膜层；在衬底的正面表面上形成光刻胶层；以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理衬底的方法，所述方法包括：将所述衬底容纳于衬底处理室中，所述衬底具有正面表面以及与所述正面表面相反的背面表面；在所述衬底的所述背面表面上形成膜层；在所述衬底的所述正面表面上形成光刻胶层；使所述光刻胶层显影；以及从所述衬底的所述背面表面去除所述膜层。

【技术特征摘要】
2016.07.21 US 62/365,2281.一种处理衬底的方法，所述方法包括：将所述衬底容纳于衬底处理室中，所述衬底具有正面表面以及与所述正面表面相反的背面表面；在所述衬底的所述背面表面上形成膜层；在所述衬底的所述正面表面上形成光刻胶层；使所述光刻胶层显影；以及从所述衬底的所述背面表面去除所述膜层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述膜层之前，所述衬底的所述背面表面具有第一摩擦系数，形成在所述衬底的所述背面表面上的所述膜层具有第二摩擦系数，以及所述第二摩擦系数低于所述第一摩擦系数。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述膜层包括含氟化合物层。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述含氟化合物层包括以下中之一：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟庚基三氯硅烷、全氟丁基三氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷或全氟癸基三甲氧基硅烷。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成膜层包括：将所述背面表面暴露于含氟液体或气体；以及将所述正面表面暴露于维持在比所述含氟气体或液体的压力高的压力处的气体。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成膜层包括分子气相沉积或分子液相沉积。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除膜层包括以下中之一：将所述膜层暴露于含氧气体；将所述膜层暴露于含氧等离子体；或者将所述膜层暴露于含氧气体和紫外光的组合。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述背面表面上形成膜层之前，将所述背面表面暴露于化学处理物质，其中，所述化学处理物质包括以下中之一：水、单原子氧、双原子氧或三原子氧。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述衬底的所述背面表面上形成所述膜层之后，将所述衬底固定至衬底卡盘，其中，在所述背面表面上形成所述膜层之前所述衬底的第一测量摩擦系数大于在所述背面表面上形成所述膜层之后所述衬底的第二测量摩擦系数。10.根据权利要求9所述的方法，其中，当衬底被固定至卡盘时，在具有附接至衬底的背面表面的膜层的衬底的第一弯曲和不具有附接至背面表面的膜层的衬底的第二弯曲期间，所述第一弯曲小于所述第二弯曲。11.根据权利要求9所述的方法，其中，当衬底被固定至卡盘时，在具有附接至衬底的背面表面的膜层的衬底的第一变形和不具有附接至背面表面的膜层的衬底的第二变形期间，所述第一变形小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜浩英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP