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本发明公开了一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，包括：将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；将经过常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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