基板处理装置和方法制造方法及图纸
Substrate treatment devices and methods
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和方法
本文所描述的根据本专利技术构思的实施方式涉及基板处理装置和方法。
技术介绍
为了制造半导体设备，通过诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积等各种工艺在基板上形成期望的图案。在这些工艺中使用各种处理液，并且会在工艺期间产生污染物和颗粒。为了解决这个问题，基本上需要在工艺之前和之后进行用于清除污染物和颗粒的清洁工艺。通常，在清洁过程中，在用化学品和冲洗液处理之后，将基板干燥。干燥操作是将留存在基板上的冲洗液干燥、并用例如异丙醇(IPA)等的有机溶剂将基板干燥的过程。然而，随着在基板中形成的图案之间的临界尺寸(CD)变小，有机溶剂会留存在图案之间的空间中。近来，已经进行超临界处理工艺以去除留存在基板上的有机溶剂。超临界处理工艺在与外部隔绝的空间中进行以满足超临界流体的特定条件。尽管供通常进行超临界工艺的空间的体积已经减少，或者在超临界处理工艺期间已经使用了减少所提供的异丙醇的量的方法来缩短工艺时间，但是当考虑工艺优化时，在减小空间或减少所提供的异丙醇的量的方法方面存在局限。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式提供了用于缩短超临界处理工艺时间的装置和...
【技术保护点】
一种基板处理方法，所述方法包括：将通过将添加剂与有机溶剂混合而得到的混合液提供到基板上；和在提供所述混合液之后，通过向所述基板提供超临界流体并使所述混合液溶解在所述超临界流体中而从所述基板去除所述混合液，其中所述添加剂的表面张力低于所述有机溶剂的表面张力，并且所述添加剂的沸点低于所述有机溶剂的沸点。
【技术特征摘要】
2016.07.29 KR 10-2016-00968921.一种基板处理方法，所述方法包括：将通过将添加剂与有机溶剂混合而得到的混合液提供到基板上；和在提供所述混合液之后，通过向所述基板提供超临界流体并使所述混合液溶解在所述超临界流体中而从所述基板去除所述混合液，其中所述添加剂的表面张力低于所述有机溶剂的表面张力，并且所述添加剂的沸点低于所述有机溶剂的沸点。2.权利要求1的方法，其中所述添加剂对所述有机溶剂的溶解度高于己烷对所述有机溶剂的溶解度。3.权利要求1或2的方法，其中所述有机溶剂是异丙醇(IPA)。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述超临界流体是二氧化碳(CO2)。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述添加剂包括属于由氟化醇、醇、氟化醚、醚、氟化酮和酮构成的组的流体。6.一种基板处理方法，所述方法包括：将通过将添加剂与有机溶剂混合而得到的混合液提供到基板上；和在提供所述混合液之后，通过向所述基板提供超临界流体并使所述混合液溶解在所述超临界流体中而从所述基板去除所述混合液，其中所述添加剂对所述超临界流体的溶解度高于所述有机溶剂对所述超临界流体的溶解度。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述添加剂对所述超临界流体的扩散速度高于所述有机溶剂对所述超临界流体的扩散速度。8.根据权利要求6至7中任一项所述的方法，其中所述有机溶剂是异丙醇(IPA)。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述超临界流体是二氧化碳(CO2)。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述添加剂包括属于由氟化醇、醇、氟化醚、醚、氟化酮和酮构成的组的流体。11.一种基板处理装置，所述装置包括：液体处理室，所述液体处理室被配置为对所述基板进行液体处理；干燥室，所述干燥室被配置为干燥所述基板；和传送单元，所述传送单...
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