一种厚膜光刻加工方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种LTCC模块表面线条精细化加工的方法。一种厚膜光刻加工方法，包括以下步骤：步骤1：Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工；步骤2：将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干，并进行烧结；步骤3：对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影，制作出特定形状的掩膜；步骤4：将上述掩膜进行刻蚀；步骤5：刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除；步骤6：在750-850℃下重新烧结后获得所需的图形。本发明专利技术采用可刻蚀的厚膜浆料，该种材料具有电导率高、精度高、键合性好等特点，采用本方法加工的线条一般可达25um，衬底状态良好，最细线条可做到10um，通过本加工方法加工的线宽为50um，本方法简单易行，易于操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种LTCC模块表面线条精细化加工的方法。
技术介绍
随着通信电子产品逐渐向小型化、高频化等方向发展，模块的尺寸也越来越小。LTCC（低温共烧陶瓷）电路模块由于具有较低的功耗、低的烧成温度、高集成度、可内置无源元件等特点，已经成为制造高集成度电子系统的有利手段之一，在微组装中发挥了重要作用。由于LTCC模块表面线条的精细加工可以提升整体性能，也已经成为LTCC加工中的一项研究热点。
技术实现思路
本专利技术旨在提出用于LTCC模块表面线条精细化的一种厚膜光刻加工方法。本专利技术的技术方案在于：一种厚膜光刻加工方法，包括以下步骤：步骤1：Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工；步骤2：将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干，并进行烧结；步骤3：对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影，制作出特定形状的掩膜；步骤4：将上述掩膜进行刻蚀；步骤5：刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除；步骤6：在750-850℃下重新烧结后获得所需的图形。优选地，所述的丝网印刷时采用传统的D33um网版。优选地，所述的烧结温度为750-850℃。或者优选地，所述的刻蚀溶液为Au导体层的刻蚀溶液12/KI。或者优选地，所述的配套去胶液为丙酮。本专利技术的技术效果在于：本专利技术采用可刻蚀的厚膜浆料，该种材料具有电导率高、精度高、键合性好等特点，采用本方法加工的线条一般可达25um，衬底状态良好，最细线条可做到10um，通过本加工方法加工的线宽为50um，本方法简单易行，易于操作。具体实施方式一种厚膜光刻加工方法，包括以下步骤：步骤1：Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工；步骤2：将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干，并进行烧结；步骤3：对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影，制作出特定形状的掩膜；步骤4：将上述掩膜进行刻蚀；步骤5：刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除；步骤6：在750-850℃下重新烧结后获得所需的图形。其中，丝网印刷时采用传统的D33um网版。烧结温度为750-850℃。刻蚀溶液为Au导体层的刻蚀溶液12/KI。配套去胶液为丙酮。在本加工过程中用到的典型设备包括印刷机、匀胶机、UV曝光机、显影机、去胶台、刻蚀台、烧结炉等。采用本方法加工的线条一般可达25um，衬底状态良好，最细线条可做到10um，通过本加工方法加工的线宽为50um。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种厚膜光刻加工方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工；步骤2：将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干，并进行烧结；步骤3：对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影，制作出特定形状的掩膜；步骤4：将上述掩膜进行刻蚀；步骤5：刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除；步骤6：在750‑850℃下重新烧结后获得所需的图形。

【技术特征摘要】
1.一种厚膜光刻加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工；
步骤2：将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干，并进行烧结；
步骤3：对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影，制作出特定形状的掩膜；
步骤4：将上述掩膜进行刻蚀；
步骤5：刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除；
步骤6：在750-850℃下重新烧结后获得所需的图...

【专利技术属性】
技术研发人员：王耀斌，
申请(专利权)人：陕西盛迈石油有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61