One way to avoid the etching liquid conveying pipe relates to crystallization, specifically applicable to manufacturing or processing or solid semiconductor devices or components method or device, especially relates to the method to avoid crystallization in the pipeline transportation in the etching solution and etching process pipeline structure in the manufacturing of a photomask, which comprises the following steps: to the etching liquid conveying pipeline into the etching solution, etching buffer solution and pure water instead of etching liquid conveying pipeline continuous conveyor; etching solution, etching process is complete etching of the workpiece; to the etching liquid conveying pipeline into the etching buffer, etching solution instead of etching liquid conveying pipeline; etching buffer replacement after etching liquid conveying pipeline second valve C export to the nozzle section with pure water. Can effectively prevent the crystallization of the etching liquid conveying pipeline, to avoid crystallization influence subsequent etching process and mask product quality, save the regular cleaning waste of time, improve the stability and reliability of the etching process, the production process to maintain consistency.
【技术实现步骤摘要】
一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法
本专利技术涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备,尤其涉及在光掩模的制造蚀刻工艺中避免在蚀刻液输送管路中产生结晶物的方法及其管路结构。
技术介绍
在光掩模的制造中蚀刻工艺是一个重要的工艺流程,蚀刻工艺中蚀刻液的主要成分在PH值改变时溶解度会降低,从而析出晶体。在现有的蚀刻工艺中,蚀刻设备的蚀刻液输送管路结构如图1所示,蚀刻开始前从阀门20出口到喷头30的蚀刻液输送管路10里充满了纯水;蚀刻开始后,蚀刻液将经由阀门20的A口至C口,通过蚀刻液输送管路10到达喷头30,并替代蚀刻液输送管路10内的纯水;蚀刻工艺结束后,需要再次经由阀门20的B口至C口,将纯水通入蚀刻液输送管路10,并重新替代蚀刻液充满整个蚀刻液输送管路10。在这两次纯水与蚀刻液的液体交替过程中,蚀刻液输送管路10中的pH值发生骤然变化,使得蚀刻液输送管路10内的蚀刻液中有结晶析出,经过长时间交替运行工艺过程之后,蚀刻液输送管路10内会有明显结晶积存,这些结晶将在后续的蚀刻工艺中造成局部高浓度蚀刻成分,并且会穿透光刻胶造成Cr掩膜图形损坏,同时析出的结晶物还会对蚀刻后的掩模版造成颗粒污染。经PCT申请途径进入中国的专利技术专利“蚀刻设备组件的清洗方法”(中国专利技术专利号:ZL01820298.5授权公告号:CN1266262C)公开了一种用于从蚀刻设备组件上去除蚀刻残留物的方法。所用组合物为含水酸性组合物,其中含有氟化物和极性有机溶剂。该组合物不含乙二醇和羟胺,且表面张力和粘度都较低。该专利技术专利的目的是去除等离子体气相蚀刻设备中蚀刻腔 ...
【技术保护点】
一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法,用于半导体或固体器件制造工艺的蚀刻设备,所述的蚀刻设备包括连接在第一阀门和喷嘴之间的蚀刻液输送管路,其特征在于:在所述蚀刻液输送管路与喷嘴的连接部设置第二阀门;所述的避免蚀刻液输送管路结晶的方法包括以下步骤:第一步:蚀刻工艺开始前,经由第一阀门的A口至C口,向蚀刻液输送管路送入蚀刻液,直至蚀刻液经由第二阀门的A口至C口,充满自第一阀门的C口至喷嘴的全部蚀刻液输送管路,替代蚀刻液输送管路中的蚀刻缓冲液和纯水;第二步:经由第一阀门的A口至C口,通过蚀刻液输送管路并经由第二阀门的A口至C口,连续输送蚀刻液,完成被蚀刻工件的蚀刻工艺;第三步:蚀刻工艺结束后,经由第一阀门的B口至C口,向蚀刻液输送管路送入蚀刻缓冲液,替代蚀刻液输送管路中的蚀刻液,直至蚀刻缓冲液经由第二阀门的A口至C口,充满自第一阀门的C口至喷嘴的全部蚀刻液输送管路;第四步:通过第二阀门B口至C口送入纯水,用纯水替代蚀刻液输送管路中第二阀门C口之后至喷嘴段的蚀刻缓冲液。
【技术特征摘要】
1.一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法,用于半导体或固体器件制造工艺的蚀刻设备,所述的蚀刻设备包括连接在第一阀门和喷嘴之间的蚀刻液输送管路,其特征在于:在所述蚀刻液输送管路与喷嘴的连接部设置第二阀门;所述的避免蚀刻液输送管路结晶的方法包括以下步骤:第一步:蚀刻工艺开始前,经由第一阀门的A口至C口,向蚀刻液输送管路送入蚀刻液,直至蚀刻液经由第二阀门的A口至C口,充满自第一阀门的C口至喷嘴的全部蚀刻液输送管路,替代蚀刻液输送管路中的蚀刻缓冲液和纯水;第二步:经由第一阀门的A口至C口,通过蚀刻液输送管路并经由第二阀门的A口至C口,连续输送蚀刻液,完成被蚀刻工件的蚀刻工艺;第三步:蚀刻工艺结束后,经由第一阀门的B口至C口,向蚀刻液输送管路送入蚀刻缓冲液,替代...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐飞,郭贵琦,金海涛,葛海鸣,巫轶骏,沈健,陈帅,王然,
申请(专利权)人:常州瑞择微电子科技有限公司,中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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