The present invention relates to a nano imprint template crystal alignment device, the top surface of a wafer table which is equipped with an opening to the wafer mounting groove, the bottom surface of the template adsorption clamp is provided with an opening groove down the imprint template, second electrode pattern plate is arranged on the top surface of a wafer table, the first installation surface adsorption fixture in the template the electrode graphics board, electrode pattern of the first electrode pattern plate and the second electrode pattern board within the complementary electrode pattern, positive and negative positive and negative first electrode pattern plate pole and the corresponding resistance meter is connected with the template, the fixture is installed in the adsorption fine-tuning stage, micro adjusting Taiwan used to adjust the position of the fixture template adsorption, adsorption control system for the adsorption of end control template adsorption clamp on the imprint template, the wafer orientation and second electrode pattern plate in parallel, template graphics and direction in imprint template The first electrode pattern plate is parallel. The invention is simple in structure and high in accuracy.
【技术实现步骤摘要】
纳米压印模版晶向对准装置及对准方法
本专利技术涉及微细加工、半导体工艺设备
,具体涉及一种纳米压印模版晶向对准装置及对准方法。
技术介绍
纳米压印技术的工艺精度和工艺面积只与模版的图形定义有关,具有成本低,产量高的优点。在制作某些半导体器件时,如半导体激光器的光栅时,需要压印的图形与半导体晶圆的晶向对准。传统的纳米压印设备或者没有该设备,或者需要非常昂贵的微调设备,不适合大规模生产,需要开发一种低成本的纳米压印模版晶向对准方法,提高对准速度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种结构简单,精度高的纳米压印模版晶向对准装置及对准方法。为解决上述技术问题,本专利技术公开的一种纳米压印模版晶向对准装置,其特征在于:它包括晶圆台、模版吸附夹具、微调台、电阻计、吸附控制系统、第一电极图形板、晶圆、与第一电极图形板对应的第二电极图形板、与晶圆匹配的压印模版,所述晶圆台顶面开设有开口向上的晶圆安装凹槽,模版吸附夹具的底面开设有开口向下的压印模版凹槽,模版吸附夹具的吸附端位于压印模版凹槽槽底,所述压印模版凹槽位于晶圆安装凹槽的上方,所述第二电极图形板安装在晶圆台顶面,第一电极图形板安装在模版吸附夹具的底面,所述第一电极图形板位于第二电极图形板的上方,所述第一电极图形板与第二电极图形板内的电极图形为互补电极图形,所述第一电极图形板的正负极与电阻计对应的正负极相连,所述模版吸附夹具安装在微调台上,微调台用于对模版吸附夹具的位置进行调整,所述吸附控制系统的控制端连接模版吸附夹具的吸附控制端,吸附控制系统用于控制模版吸附夹具的吸附端对压印模版的吸附,所述晶圆的晶向与第二电 ...
【技术保护点】
一种纳米压印模版晶向对准装置,其特征在于:它包括晶圆台(1)、模版吸附夹具(2)、微调台(3)、电阻计(4)、吸附控制系统(5)、第一电极图形板(7)、晶圆(9)、与第一电极图形板(7)对应的第二电极图形板(8)、与晶圆(9)匹配的压印模版(10),所述晶圆台(1)顶面开设有开口向上的晶圆安装凹槽(1.1),模版吸附夹具(2)的底面开设有开口向下的压印模版凹槽(2.2),模版吸附夹具(2)的吸附端(2.1)位于压印模版凹槽(2.2)槽底,所述压印模版凹槽(2.2)位于晶圆安装凹槽(1.1)的上方,所述第二电极图形板(8)安装在晶圆台(1)顶面,第一电极图形板(7)安装在模版吸附夹具(2)的底面,所述第一电极图形板(7)位于第二电极图形板(8)的上方,所述第一电极图形板(7)与第二电极图形板(8)内的电极图形为互补电极图形,所述第一电极图形板(7)的正负极与电阻计(4)对应的正负极相连,所述模版吸附夹具(2)安装在微调台(3)上,微调台(3)用于对模版吸附夹具(2)的位置进行调整,吸附控制系统(5)用于控制模版吸附夹具(2)的吸附端(2.1)对压印模版(10)的吸附,所述晶圆(9)的晶向 ...
【技术特征摘要】
1.一种纳米压印模版晶向对准装置,其特征在于:它包括晶圆台(1)、模版吸附夹具(2)、微调台(3)、电阻计(4)、吸附控制系统(5)、第一电极图形板(7)、晶圆(9)、与第一电极图形板(7)对应的第二电极图形板(8)、与晶圆(9)匹配的压印模版(10),所述晶圆台(1)顶面开设有开口向上的晶圆安装凹槽(1.1),模版吸附夹具(2)的底面开设有开口向下的压印模版凹槽(2.2),模版吸附夹具(2)的吸附端(2.1)位于压印模版凹槽(2.2)槽底,所述压印模版凹槽(2.2)位于晶圆安装凹槽(1.1)的上方,所述第二电极图形板(8)安装在晶圆台(1)顶面,第一电极图形板(7)安装在模版吸附夹具(2)的底面,所述第一电极图形板(7)位于第二电极图形板(8)的上方,所述第一电极图形板(7)与第二电极图形板(8)内的电极图形为互补电极图形,所述第一电极图形板(7)的正负极与电阻计(4)对应的正负极相连,所述模版吸附夹具(2)安装在微调台(3)上,微调台(3)用于对模版吸附夹具(2)的位置进行调整,吸附控制系统(5)用于控制模版吸附夹具(2)的吸附端(2.1)对压印模版(10)的吸附,所述晶圆(9)的晶向(11)与第二电极图形板(8)平行,所述压印模版(10)中的模版图形(12)方向与第一电极图形板(7)平行。2.根据权利要求1所述的纳米压印模版晶向对准装置,其特征在于:所述第一电极图形板(7)与模版吸附夹具(2)绝缘安装,所述第二电极图形板(8)与晶圆台(1)绝缘安装。3.根据权利要求1所述的纳米压印模版...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙晋武,
申请(专利权)人:武汉红星杨科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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