温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。本发明所要解决的课题是，提高基板上形成的Si膜的膜质。作为解决上述课题的手段，提供一种半导体装置的制造方法，其具有：在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序；以及，在处理室内，在维持第...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。