一种钽酸锂晶体基片加工方法技术

本发明专利技术公开了一种钽酸锂晶体基片加工方法，包括切片、倒角、黑化、研磨、粗抛和精抛步骤，在所述粗抛和精抛步骤中采用了钻石抛光液，所述钻石抛光液由钻石微粉、乙二醇、甘油、乙醇氨以及去离子水构成，其PH值在9～11之间，其中钻石微粉含量为20～25%，乙二醇含量为8～15%，甘油含量为3～5%，乙醇氨含量为0.1～0.3%，去离子水含量为60～65%。本发明专利技术可以大大提高钽酸锂晶片的表面光洁度、降低其表面粗糙度，消除应力，达到镜面抛光效果，从而降低节约生产成本和提高产品的合格率。

A processing method for lithium tantalate crystal substrate

The invention discloses a lithium tantalate substrate processing method, including slicing, chamfering, grinding, blackening, coarse polishing and fine polishing steps in the coarse polishing and fine polishing steps used in diamond polishing, the diamond polishing liquid is composed of diamond powder, ethylene glycol, glycerol, ethanol and ammonia and the deionized water, the pH value in 9~11, the diamond powder content is 20 ~ 25%, the content of ethylene glycol is 8 ~ 15%, the content of glycerol was 3 ~ 5%, ethanol ammonia content is 0.1 ~ 0.3%, deionized water content is 60 ~ 65%. The invention can greatly improve the surface finish of tantalate lithium wafer, reduce the surface roughness, eliminate the stress and achieve the mirror polishing effect, thereby reducing the production cost and improving the qualified rate of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种钽酸锂晶体基片的加工方法
本专利技术涉及半导体器件的加工方法领域，特别是一种钽酸锂晶体基片的加工方法。
技术介绍
钽酸锂是一种典型的多功能单晶体材料，其熔点为1670℃，硬度为莫氏5．5，密度为7．459g/cm3。其介电常数ε11/ε0为51．7、ε33/ε0为44．5，压电应变常数d22为2．4X10-11C／N、d33为0．8×10-11C／N，热膨胀系数(a)16．1×10-5／℃、(c)4．1×10-8/℃，典型方向为X，Z，Y36°，Y42°。它具有机电耦合系数大、低损耗、高温稳定性和高频性能好等优良的压电、电光和热电性能。随着移动通讯、信息产业的迅速发展，钽酸锂晶片越来越广泛地应用于制造高频、中频带宽、低插入损耗、高频率稳定和小型化声表面波和体波器件如声表面波滤波器、谐振器等。为了获得高性能的电子元件，要求钽酸锂晶片表面晶格完整，具有极高的平面度和无损伤超平滑表面且无晶向偏差。即使抛光表面存在微小缺陷，都将破坏晶体材料表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响元件的频率精度和频率稳定性。钽酸锂单晶材料属典型的硬脆材料，并具有解理性和各向异性等机械力学性能，研磨抛光加工难本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钽酸锂晶体基片加工方法，包括切片、倒角、黑化、研磨、粗抛和精抛步骤，其特征在于，在所述粗抛和精抛步骤中采用了钻石抛光液，所述钻石抛光液由钻石微粉、乙二醇、甘油、乙醇氨以及去离子水构成，其PH值在9～11之间，其中钻石微粉含量为20～25%，乙二醇含量为8～15%，甘油含量为3～5%，乙醇氨含量为0.1～0.3%，去离子水含量为60～65%，具体步骤如下：1) 切片：在钢线线速为400～1000m/min，温度为22℃±2℃的条件下，利用切片机将钽酸锂晶棒切成厚度为270微米～280微米左右的晶片；2) 倒角：在砂轮转速为600～800rpm/min，温度为22℃±2℃的条件下，利用倒角机将...

【技术特征摘要】
1.一种钽酸锂晶体基片加工方法，包括切片、倒角、黑化、研磨、粗抛和精抛步骤，其特征在于，在所述粗抛和精抛步骤中采用了钻石抛光液，所述钻石抛光液由钻石微粉、乙二醇、甘油、乙醇氨以及去离子水构成，其PH值在9～11之间，其中钻石微粉含量为20～25%，乙二醇含量为8～15%，甘油含量为3～5%，乙醇氨含量为0.1～0.3%，去离子水含量为60～65%，具体步骤如下：1)切片：在钢线线速为400～1000m/min，温度为22℃±2℃的条件下，利用切片机将钽酸锂晶棒切成厚度为270微米～280微米左右的晶片；2)倒角：在砂轮转速为600～800rpm/min，温度为22℃±2℃的条件下，利用倒角机将钽酸锂晶片直角处倒成R...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈浩，顾潇威，凡勇，
申请(专利权)人：天通控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33