衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法，抑制副产物向处理容器下方的附着。具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理衬底的处理室；盖部，其封闭处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由隔热部与盖部之间的间隙向处理容器下方供给吹扫气体，在隔热部与盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制吹扫气体的流动，使得吹扫气体对处理容器下方的一部分的供给流量比吹扫气体对其他部分的供给流量多。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法技术区域本专利技术涉及衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
在半导体器件(设备)的制造工序中的衬底处理中，例如使用将多张衬底一次性处理的纵型衬底处理装置。在纵型衬底处理装置中，有由于在处理容器下部附着副产物而产生微粒的情况(例如专利文献1)。现有技术文献专利文献1：日本特开2003-158081号公报
技术实现思路
在处理容器内产生微粒的话，会对成膜造成不良影响。本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够抑制副产物向处理容器下方的附着的技术。根据本专利技术的一个方案，提供一种技术，具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理所述衬底的处理室；盖部，其封闭所述处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由所述隔热部与所述盖部之间的间隙向所述处理容器下方供给吹扫气体，在所述隔热部与所述盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制所述吹扫气体的流动，使得所述吹扫气体对所述处理容器下方的一部分的供给流量比所述吹扫气体对其他部分的供给流量多。专利技术效果根据本专利技术，能够抑制副产物向处理容器下方的附着。附图说明图1是概略地表示在本专利技术的实施方式中适宜地使用的衬底处理装置的一例的纵剖视图。图2是在本专利技术的实施方式中适宜地使用的衬底处理装置的炉口部的横剖视图。图3是表示以往的构成中的炉口部的气体浓度分布的图。图4是表示以往的构成中的炉口部的气体浓度与吹扫气体流量的关系的图。图5是表示以往的构成中的吹扫气体流量与面间均一性的关系的图。图6是概略地表示在本专利技术的实施方式中适宜地使用的罩板的一例的立体图。图7是表示罩板的切缺的大小与炉口部的气体浓度的关系的图。图8是表示本专利技术的构成中的炉口部的气体浓度分布的图。图9是表示在本专利技术的构成与以往的构成中的炉口部的气体浓度的幅度的图。图10是表示本专利技术的实施方式的变形例1的图。图11是表示本专利技术的实施方式的变形例2的图。图12是表示本专利技术的实施方式的变形例4的图。图13是在本专利技术的第二实施方式中适宜地使用的衬底处理装置的隔热部下表面的横剖视图。图14是在本专利技术的第二实施方式中适宜地使用的衬底处理装置的隔热部的横剖视图。图15是表示以往的罩板的立体图。附图标记说明13：处理容器44a、44b、44c：气体喷嘴60：罩板62：限制部具体实施方式以下，参照附图来对本专利技术的非限定的例示的实施方式进行说明。全部附图中，对于相同或者相对应的构成标注相同或者相对应的附图标记并省略重复的说明。在本实施方式中，衬底处理装置构成为纵型衬底处理装置(以下称为处理装置)2，其作为在半导体器件(设备)的制造方法中的制造工序的一个工序而实施热处理等衬底处理工序。如图1所示，衬底处理装置2具有：圆筒形状的反应管10；和设置在反应管10的外周的作为加热手段(加热机构)的加热器12。反应管例如由石英或SiC形成。在反应管10上设置有作为温度检测器的温度检测部16。温度检测部16沿着反应管10的内壁立起设置。在反应管10的下端开口部上，经由O环等密封部件20连结有圆筒形的集流腔(manifold)18，并支承着反应管10的下端。集流腔18例如由不锈钢等金属形成。通过反应管10和集流腔18形成处理容器13。在处理容器13的内部形成处理室14，该处理室14处理作为衬底的晶片W。集流腔18的下端开口部(处理容器13的下端开口部)由圆盘状的盖部22进行开闭。盖部22例如由金属形成。在盖部22的上表面设置有O环等密封部件，由此，气密地密封反应管10内与外部空气。在盖部22的上表面设置有后述的作为盖部罩的罩板60。在盖部22的中央形成有孔，供后述的旋转轴28穿插。处理室14在内部收纳作为衬底保持件的舟皿26，舟皿26垂直地以搁板状支承多张、例如25～150张晶片W。舟皿26例如由石英或SiC形成。舟皿26支承在隔热部24的上方。由舟皿26和隔热部24构成衬底保持体。隔热部24被贯穿盖部22的旋转轴28支承，旋转轴28与设置在盖部22下方的旋转机构30连接。在旋转轴28与盖部22的贯穿部分例如设有磁性流体密封件，旋转轴28构成为在气密地密封反应管10的内部的状态下能够旋转。通过使旋转轴28旋转，隔热部24以及舟皿26旋转。盖部22通过作为升降机构的舟皿升降机32而沿上下方向被驱动。由此，衬底保持体以及盖部22一体地升降，相对于反应管10将舟皿26搬入搬出。处理装置2具有气体供给机构34，其将原料气体、反应气体、非活性气体作为在衬底处理中使用的处理气体供给到处理室14内。气体供给机构34所供给的处理气体与要成膜的膜的种类相对应地进行替换。在这里，气体供给机构34包括原料气体供给部、反应气体供给部、非活性气体供给部以及炉口部吹扫气体供给部。原料气体供给部具有气体供给管36a，在气体供给管36a上从上游方向起按顺序设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)38a以及作为开关阀的阀门40a。气体供给管36a与贯穿集流腔18的侧壁的喷嘴44a连接。喷嘴44a在反应管10内沿着上下方向立起设置，并形成有多个供给孔，这些供给孔朝向保持在舟皿26上的晶片W开口。通过喷嘴44a的供给孔对晶片W供给原料气体。以下，以相同的结构，从反应气体供给部经由供给管36b、MFC38b、阀门40b以及喷嘴44b对晶片W供给反应气体。从非活性气体供给部经由供给管36c、36d、36e、MFC38c、38d、38e、阀门40c、40d、阀门40e以及喷嘴44a、44b、44c对晶片W供给非活性气体。炉口部吹扫气体供给部具有气体供给管36f，在气体供给管36f上从上游方向起按顺序设有MFC38f以及阀门40f。气体供给管36f与形成在旋转轴28周围的中空部30A连接。形成有从中空部30A连通至罩板60上表面的空间，从罩板60A上表面的气体供给口60B(参照图2)经由隔热部24与盖部22之间的间隙，对炉口部即处理容器13下方供给吹扫气体。吹扫气体是不与原料气体和反应气体发生反应的气体就可以。在集流腔18的排气口18A上安装有排气管46。在排气管46上，经由对处理室14内的压力进行检测的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器48以及作为压力调整器(压力调整部)的APC(AutoPressureController，自动压力控制器)阀门50，连接有作为真空排气装置的真空泵52。通过这样的构成，能够将处理室14内的压力设为与处理相应的处理压力。排气管46设置在与气体喷嘴44a～44c相对的位置上。在旋转机构30、舟皿升降机32、气体供给机构34的MFC38a～38f以及阀门40a～40f、APC阀门50上连接有控制这些部分的控制器100。控制器100例如由具有CPU的微处理器(计算机)构成，其以控制处理装置2的动作的方式构成。在控制器10上连接有例如构成为触摸面板等的输入输出装置102。在控制器100上连接有作为存储介质的存储部104。在存储部104中可读取地保存有控制处理装置2的动作的控制程序、用于根据处理条件使处理装置2的各构成部执行处理的程序(也称为配方)。存储部104可以是内置于控制器100中的存储装置(硬盘或闪存)，也可以是可移动的外部记录装置(磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理所述衬底的处理室；盖部，其封闭所述处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由所述隔热部与所述盖部之间的间隙向所述处理容器下方供给吹扫气体，在所述隔热部与所述盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制所述吹扫气体的流动，使得所述吹扫气体对所述处理容器下方的一部分的供给流量比所述吹扫气体对其他部分的供给流量多。

【技术特征摘要】
2016.07.26 JP 2016-1462761.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理所述衬底的处理室；盖部，其封闭所述处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由所述隔热部与所述盖部之间的间隙向所述处理容器下方供给吹扫气体，在所述隔热部与所述盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制所述吹扫气体的流动，使得所述吹扫气体对所述处理容器下方的一部分的供给流量比所述吹扫气体对其他部分的供给流量多。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，还具有覆盖所述盖部的盖部罩，所述限制部形成在所述盖部罩的上表面。3.一种盖部罩，为衬底处理装置的盖部罩，该衬底处理装置具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理所述衬底的处理室；盖部，...

【专利技术属性】
技术研发人员：西堂周平，槣原美香，冈嶋优作，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP