等离子体刻蚀装置及其边缘环组件与静电夹盘制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体刻蚀装置及其边缘环组件与静电夹盘，用以改善刻蚀速度不均匀的缺陷。其中，所述边缘环组件包括：插入环，具有内侧部分与外侧部分，所述内侧部分位于基片边缘的下方，所述外侧部分向外超出了基片边缘的覆盖范围；聚焦环，覆盖插入环的所述外侧部分；其中，CFocus、CInsert两者之和与CESC的比值在0.9到1.1之间，CFocus为所述聚焦环的电容值，CInsert为所述插入环的电容值，CESC为所述静电夹盘的电容值。

Plasma etching device and its edge ring components and electrostatic clips

The invention provides a plasma etching device and an edge ring component and an electrostatic clamp to improve the defects of the inhomogeneous etching speed. Among them, the edge ring assembly includes an insertion ring, with the medial part and lateral part, the lower edge of the substrate located in the medial part of the lateral part of the outward beyond the coverage of the substrate edge; the focus ring, covering a portion of the outer insertion ring; among them, CFocus and CInsert both and the ratio of CESC between 0.9 to 1.1, and CFocus is the capacitance value of the focus ring, and CInsert is the capacitance value of the capacitor CESC is inserted into the ring, as the value of the electrostatic chuck.

【技术实现步骤摘要】
等离子体刻蚀装置及其边缘环组件与静电夹盘
本专利技术涉及等离子体刻蚀装置。
技术介绍
等离子体处理，如刻蚀，已在半导体器件的制造中被广泛使用。等离子体轰击设备属于干法刻蚀的一种，其通过离子轰击去除基片的表面原子，从而达到刻蚀的目的。利用传统等离子体处理设备进行刻蚀经常出现的一个问题是：基片表面各处的刻蚀速度不均匀(non-uniform)。比如，基片边缘处的刻蚀速度明显快于基片中央区域。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种用于等离子体刻蚀装置的边缘环组件，在所述等离子体刻蚀装置中，待处理的基片由一静电夹盘来固定，所述边缘环组件包括：插入环，具有内侧部分与外侧部分，所述内侧部分位于基片边缘的下方，所述外侧部分向外超出了基片边缘的覆盖范围；聚焦环，覆盖插入环的所述外侧部分；其中，CFocus、CInsert两者之和与CESC的比值在0.9到1.1之间，CFocus为所述聚焦环的电容值，CInsert为所述插入环的电容值，CESC为所述静电夹盘的电容值。可选的，所述聚焦环由非导电材料制成。可选的，所述聚焦环由三氧化二铝制成。可选的，所述聚焦环由导电材料制成。可选的，所述聚焦环由S本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于等离子体刻蚀装置的边缘环组件，在所述等离子体刻蚀装置中，待处理的基片由一静电夹盘来固定，所述边缘环组件包括：插入环，具有内侧部分与外侧部分，所述内侧部分位于基片边缘的下方，所述外侧部分向外超出了基片边缘的覆盖范围；聚焦环，覆盖插入环的所述外侧部分；其中，CFocus、CInsert两者之和与CESC的比值在0.9到1.1之间，CFocus为所述聚焦环的电容值，CInsert为所述插入环的电容值，CESC为所述静电夹盘的电容值。

【技术特征摘要】
1.用于等离子体刻蚀装置的边缘环组件，在所述等离子体刻蚀装置中，待处理的基片由一静电夹盘来固定，所述边缘环组件包括：插入环，具有内侧部分与外侧部分，所述内侧部分位于基片边缘的下方，所述外侧部分向外超出了基片边缘的覆盖范围；聚焦环，覆盖插入环的所述外侧部分；其中，CFocus、CInsert两者之和与CESC的比值在0.9到1.1之间，CFocus为所述聚焦环的电容值，CInsert为所述插入环的电容值，CESC为所述静电夹盘的电容值。2.如权利要求1所述的边缘环组件，其特征在于，所述聚焦环由非导电材料制成。3.如权利要求2所述的边缘环组件，其特征在于，所述聚焦环由三氧化二铝制成。4.如权利要求1所述的边缘环组件，其特征在于，所述聚焦环由导电材料制成。5.如权利要求4所述的边缘环组件，其特征在于，所述聚焦环由Si、C或SiC制成。6.如权利要求1所述的边缘环组件，其特征在于，所述插入环由导电材料制成。7.如权利要求1或6所述的边缘环组件，其特征在于，所述插入环的材质与聚焦环不同。8.如权利要求1所述的边缘环组件，其特征在于，所述插入环的内侧部分与外侧部分一体形成，由相同的材料制成。9.用于等离子体刻蚀装置的边缘环组件，在所述等离子体刻蚀装置中，待处理的基片由一静电夹盘来固定，所述边缘环组件包括：插入环，具有由导电材料制成的内侧部分与由绝缘材料制成的外侧部分，所述内侧部分位于基片边缘的下方，所述外侧部分向外超出了基片边缘的覆盖范围；聚焦环，覆盖插入环的至少所述外侧部分；其中，CFocus、Cinner-Insert两者之和与CESC的比值在0.9到1.1之间，CFocus为所述聚焦环的电容值，Cinner-Insert为所述插入环的内侧部分的电容值，CESC为所述静电夹盘的电容值。10.如权利要求9所述的边缘环组件，其特征在于，所述聚焦环由非导电材料制成。11.如权利要求10所述的边缘环组件，其特征在于，所述聚焦环包括三氧化二铝。12.如权利要求9所述的边缘环组件，其特征在于，所述聚焦环由导电材料制成。13.如权利要求12所述的边缘环组件，其特征在于，所述聚焦环...

【专利技术属性】
技术研发人员：王红超，严利均，刘身健，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31