The present invention provides an electrode mechanism and reaction chamber, which comprises a base, an insulating ring is arranged between the base and the bottom wall of the chamber, to form the equivalent capacitance between the base of the bottom surface of the edge region and the chamber bottom wall, the equivalent capacity by at least two different medium filled parallel plate capacitors in parallel to. The lower electrode mechanism provided by the invention can adjust the ground capacitance of the lower electrode mechanism, so that the consistency of the same type of process equipment can meet the requirements.
【技术实现步骤摘要】
下电极机构及反应腔室
本专利技术涉及半导体制造
,具体地,涉及一种下电极机构及反应腔室。
技术介绍
等离子体源按照产生方式的不同可以分为容性耦合等离子体源(CCP),感应耦合等离子体源(ICP)和微波等离子体源(MP)。在上述三种等离子体源中,一般都采用上、下双电极结构,其中,上电极机构用于产生等离子体,例如感应耦合等离子体源中的线圈结构。下电极机构用于调节晶片表面的等离子体分布的均匀性和电场强度的大小,以保证沉积均匀性或者刻蚀速率、刻蚀选择比等满足工艺要求。随着工艺精度要求越来越高,在量产过程中,对型号相同的工艺设备的一致性要求越来越苛刻,其中,下电极机构对地电容就是影响工艺结果的关键参数之一,型号相同的多个工艺设备的对地电容不一致会直接影响到工艺结果不一致。下电极机构对地电容主要是指在基座与位于其下方的反应腔室的腔室壁之间形成的等效电容。目前的下电极机构无法对该等效电容进行调节,这会产生如下问题:由于型号相同的多个工艺设备的生成批次不同,以及装配过程中产生的误差均会导致多个工艺设备中下电极机构对地电容不一致,从而造成刻蚀速率、刻蚀均匀性分布不一致等,进而造成型号相同的工艺设备的一致性无法达到要求。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种下电极机构及反应腔室,其可以实现对下电极机构对地电容的调节,从而可以使型号相同的工艺设备的一致性满足要求。为实现本专利技术的目的而提供一种下电极机构,包括基座,在所述基座与所述腔室底壁之间设置有绝缘环,以在所述基座的底面的边缘区域与所述腔室底壁之间形成等效电容,所述等效电容由至少两 ...
【技术保护点】
一种下电极机构,包括基座,在所述基座与所述腔室底壁之间设置有绝缘环,以在所述基座的底面的边缘区域与所述腔室底壁之间形成等效电容,其特征在于,所述等效电容由至少两种不同介质填充形成的平行板电容并联而成。
【技术特征摘要】
1.一种下电极机构,包括基座,在所述基座与所述腔室底壁之间设置有绝缘环,以在所述基座的底面的边缘区域与所述腔室底壁之间形成等效电容,其特征在于,所述等效电容由至少两种不同介质填充形成的平行板电容并联而成。2.根据权利要求1所述的下电极机构,其特征在于,所述绝缘环包括对应一部分所述边缘区域的环体;所述环体的径向宽度满足使所述等效电容达到期望值的条件。3.根据权利要求2所述的下电极机构,其特征在于,所述环体为一个,且所述环体的径向宽度小于所述边缘区域的径向宽度。4.根据权利要求3所述的下电极机构,其特征在于,所述环体的径向宽度满足下述公式:L=(R-r)/4其中,L为所述环体的径向宽度;R为所述边缘区域的外径;r为所述边缘区域的内径。5.根据权利要求3所述的下电极机构,其特征在于,所述环体的径向宽度满足下述公式:L=(R-r)/2其中,L为所述环体的径向宽度;R为所述边缘区域的外径;r为所述边缘区域的内径。6.根据权利要求3所述的下电极机构,其特征在于,所述环体的径向宽度满足下述公式:L=3*(R-r)/4其中,L为所述环体的径向宽度;R为所述边缘区域的外径;r为所述边缘区域的内径。7.根据权利要求2所述的下电极机构,其特征在于,所述环体为至少两个,且互为同心环,并且在各个相邻的两个所述环体中,位于外侧的环体的内径与位于内侧的环体的外径相等;通过使其中一个所述环体的径向宽度不变,且调节其余所述环体的径向宽度,来使所述等效电容达到期望值。8.根据权利要求7所述的下电极机构,其特征在于,所述环体为两个,分别为第一环体和位于其外侧的第二环体,其中,所述第一环...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵晋荣,简师节,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。