离子对离子等离子体原子层蚀刻工艺及反应器制造技术
Ion pair ion plasma atomic layer etching process and reactor
A reactor with an elevated electron beam source capable of producing ion - to - ion plasma for the etching process of the atomic layer.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】离子对离子等离子体原子层蚀刻工艺及反应器相关申请的交叉引用本申请主张由KennethS.Collins等人于2015年3月17日所提交的、名称为“离子对离子等离子体原子层蚀刻工艺及反应器”的美国专利申请S/N.14/660,531的优先权。背景
本公开涉及一种利用高架电子束源处理诸如半导体芯片之类的工件的等离子体反应器。
技术介绍
用于处理工件的等离子体源可以具有一种电子束源，其具有横向于该等离子体反应器的圆柱对称轴的射束路径。这种横向布置可将非对称性引入处理中，对于这种情况在该反应器中可能需要特殊特征以避免这种非对称性。需要一种具有电子束等离子体源的等离子体反应器，其中不存在固有的非对称性。
技术实现思路
电子束等离子体反应器包括：(1)上方等离子体腔室，其包括：(a)侧壁、(b)顶电极支座，包括电气绝缘静电夹盘与耦合至所述顶电极支座的热控制设备、(c)顶电极，其与所述顶电极支座热耦合并具有顶电极表面、(d)RF源功率发生器，其耦合至所述顶电极或耦合至所述顶电极支座或耦合至所述上方腔室的内部，以及DC夹持电压源，该DC夹持电压源耦合至所述电气绝缘静电夹盘、(e)气体...
【技术保护点】
一种电子束等离子体反应器，包括：(1)上方等离子体腔室，包括：(a)侧壁；(b)顶电极支座，包括电气绝缘的静电夹盘与耦合至所述顶电极支座的热控制设备；(c)顶电极，其与所述顶电极支座热耦合，并具有顶电极表面(d)RF源功率发生器，其耦合至所述顶电极或耦合至所述顶电极支座或耦合至所述上方腔室的内部，以及DC夹持电压源，所述DC夹持电压源耦合至所述电气绝缘的静电夹盘；(e)气体分配器；(f)电网滤波器，其面向所述顶电极表面；以及(2)下方等离子体腔室，所述电网滤波器将所述上方等离子体腔室与所述下方等离子体腔室分开，所述下方等离子体腔室包括：(a)真空腔室主体，其环绕处理区域，以...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.17 US 14/660,5311.一种电子束等离子体反应器，包括：(1)上方等离子体腔室，包括：(a)侧壁；(b)顶电极支座，包括电气绝缘的静电夹盘与耦合至所述顶电极支座的热控制设备；(c)顶电极，其与所述顶电极支座热耦合，并具有顶电极表面(d)RF源功率发生器，其耦合至所述顶电极或耦合至所述顶电极支座或耦合至所述上方腔室的内部，以及DC夹持电压源，所述DC夹持电压源耦合至所述电气绝缘的静电夹盘；(e)气体分配器；(f)电网滤波器，其面向所述顶电极表面；以及(2)下方等离子体腔室，所述电网滤波器将所述上方等离子体腔室与所述下方等离子体腔室分开，所述下方等离子体腔室包括：(a)真空腔室主体，其环绕处理区域，以及(b)工件支撑底座，其包括电气绝缘的静电夹盘与耦合至所述工件支撑底座的热控制设备，并具有面向所述电网滤波器的工件支撑表面。2.如权利要求1所述的等离子体反应器，进一步包括偏置电压发生器，其耦合至所述工件支撑底座。3.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中所述顶电极包括硅、碳、碳化硅、氧化硅、氧化铝、氧化钇、氧化锆之一。4.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中所述RF源功率发生器包括具有第一频率的第一RF功率发生器以及具有第二频率的第二RF功率发生器。5.如权利要求1所述的等离子体反应器，进一步包括折叠共振腔，其耦合在所述RF源功率发生器与所述顶电极之间。6.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中所述电网滤波器包括面向彼此的第一与第二电网，所述等离子体反应器进一步包括加速电压源，所述加速电压源耦合至所述第一与第二电网之一。7.如权利要求1所述的等离子体反应器，进一步包括在所述上方与下方腔室之一附近的第一电磁铁或永久磁铁。8.如权利要求1所述的等离子体反应器，进一步包括：在所述侧壁中的窗口；绕着所述窗口的线圈天线；及耦合至所述线圈天线的RF发生器。9.一种在电子束等离子体反应器中处理工件的方法，所述方法包括：通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·S·柯林斯，K·拉马斯瓦米，J·D·卡达希，S·拉夫，L·多夫，Y·杨，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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