衬底处理装置以及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种衬底处理装置以及半导体器件的制造方法，能够不受工艺种类的限制地进行衬底处理。根据本发明专利技术的一个方式，提供一种技术，具有：模组，其对衬底进行处理；搬运室，其与多个上述模组相邻；搬运部，其将上述衬底搬运到上述模组；接收部，其接收上述衬底的工艺信息；检测部，其检测每一个上述模组的质量信息；将多个上述工艺信息与多个上述质量信息相对应的表格；存储部，其存储上述表格；以及控制器，其使用上述表格对由上述接收部接收到的上述工艺信息和由上述检测部检测出的上述质量信息进行比较，选择与上述工艺信息对应的上述模组，并且对上述搬运部进行指示以使该搬运部向所选择的上述模组搬运上述衬底。

The fabrication of substrate and the manufacturing method of semiconductor devices

The purpose of the invention is to provide a substrate processing device and a manufacturing method of semiconductor devices, which can be applied to substrate processing without limitation of process types. According to one embodiment of the present invention, a technique is provided with: the module for processing the substrate; the handling room, and a plurality of the adjacent modules; the handling department, the substrate is transported to the module; receiving part for receiving the substrate process information; detection department, the detection of quality information each of the module; a plurality of the process information and a plurality of the quality information corresponding to the table; a storage unit which stores the table; and a controller, the use of the above table by the receiving part receives the process information and detected by the detection of the quality information were compared. The corresponding selection module and the process information, and the handling department instructions to enable the handling department to the choice of the substrate handling module.

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
本专利技术涉及一种衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
作为在半导体器件的制造工序中使用的衬底处理装置的一个方式，例如存在具备具有反应器(reactor)的模组的装置(例如专利文献1)。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-54536号公报
技术实现思路
近年来，在半导体器件中，使用很多膜种。在此，膜种是指例如硅氧化膜等在半导体器件中反复使用的膜。在半导体器件中，反复使用同一膜种，但是这些膜按对膜进行处理的每个工艺而膜厚、膜密度等膜质不同。在衬底处理装置中对各膜进行处理时，需要对应于每个膜种、膜质的要求。在此，作为半导体器件，例如指2D结构的存储器、3D结构的存储器等。另外，工艺例如是指对层叠的电路层的层间进行绝缘且由氧化膜构成的层间绝缘膜的形成工艺、用于进行形成精细间距的图案的双重图案化处理的氧化膜形成工艺等。在通常的衬底处理装置中，从装置的使用效率的问题出发，使向衬底处理装置供给的气体种类固定，对相同膜种和膜质的膜进行处理。因而，在各装置中，谋求在相同条件下对衬底进行处理，为此，以使各模组的处理条件相同的方式运用。因而，难以在一个衬底处理装置中对膜质不同的多个工艺进行处理。作为解决该问题的方法，考虑按每个工艺来准备衬底处理装置，但是工厂内的占地面积(footprint)受到限制，因此难以准备很多衬底处理装置。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够不受工艺种类的限制地进行衬底处理的技术。根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，具有：模组，其对衬底进行处理；搬运室，其与多个上述模组相邻；搬运部，其将上述衬底搬运到上述模组；接收部，其接收上述衬底的工艺信息；检测部，其检测每一个上述模组的质量信息；将多个上述工艺信息与多个上述质量信息相对应的表格；存储部，其存储上述表格；以及控制器，其使用上述表格对由上述接收部接收到的上述工艺信息和由上述检测部检测出的上述质量信息进行比较，选择与上述工艺信息对应的上述模组，并且对上述搬运部进行指示以使该搬运部向所选择的上述模组搬运上述衬底。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种能够不受工艺种类的限制地进行衬底处理的技术。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式的衬底处理装置的概要结构例的说明图。图2是表示本专利技术的实施方式的衬底处理装置的概要结构例的说明图。图3是说明本专利技术的实施方式的晶片盒(pod)的说明图。图4是说明本专利技术的实施方式的机械手(robot)的说明图。图5是说明本专利技术的实施方式的控制器的说明图。图6是说明本专利技术的实施方式的工艺模组(processmodule)的说明图。图7是表示本专利技术的实施方式的反应器的概要结构例的说明图。图8是说明本专利技术的实施方式的衬底处理装置的说明图。图9是说明本专利技术的实施方式的表格的一例的说明图。图10是说明本专利技术的实施方式的表格的一例的说明图。图11是说明本专利技术的实施方式的表格的一例的说明图。图12是说明本专利技术的实施方式的衬底处理流程的流程图。图13是说明本专利技术的实施方式的衬底处理流程的流程图。图14是说明本专利技术的实施方式的衬底处理流程的流程图。图15是说明本专利技术的实施方式的衬底处理流程的流程图。附图标记说明1：衬底处理装置；10：主体部；200：晶片(衬底)；280：控制器；PM1～PM4：模组；RC1～RC8：处理室。具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。[本专利技术的第一实施方式]首先，说明本专利技术的第一实施方式。(1)衬底处理装置的结构使用图1、图2说明本专利技术的一个实施方式的衬底处理装置的概要结构。图1是表示本实施方式的衬底处理装置的结构例的横剖视图。图2示出本实施方式的衬底处理装置的结构例，是图1的α-α’处的纵剖视图。在图1和图2中，适用本专利技术的衬底处理装置100对作为衬底的晶片200进行处理，主要由IO平台110、大气搬运室120、加载互锁室(loadlockchamber)130、真空搬运室140以及模组PM构成。接着，具体地说明各结构。在图1的说明中，对于前后左右，将X1方向设为右，将X2方向设为左，将Y1方向设为前，将Y2方向设为后。(大气搬运室和IO平台)在衬底处理装置100的近前侧设置有IO平台(加载端口)110。在IO平台110上搭载有多个晶片盒111。晶片盒111用作对硅(Si)衬底等晶片200进行搬运的载体。在晶片盒111内设置有如图3所示那样将晶片200多层地以水平姿势支承的支承部113。对保存在晶片盒111内的晶片200赋予晶片编号。()为晶片编号。在图3中，例如从下侧起依次设定为W(1)、···、W(j)、W(j+1)、···、W(k)(1<j<k)。如后文中所述，这些晶片编号与后述的工艺信息建立关联(link)。在晶片盒111上设置有盖112，盖112通过晶片盒打开器121而开闭。晶片盒打开器121对载置在IO平台110上的晶片盒111的盖112进行开闭，使衬底进出口开放/关闭，由此晶片200能够相对于晶片盒111进出。晶片盒111通过未图示的AMHS(AutomatedMaterialHandlingSystems：自动晶片搬运系统)，相对于IO平台110供给和排出。IO平台110与大气搬运室120相邻。在大气搬运室120的与IO平台110不同的面上连结有后述的加载互锁室130。在大气搬运室120内设置有用于移载晶片200的大气搬运机械手122。在大气搬运室120的壳体127的前侧设置有用于将晶片200相对于大气搬运室120搬入搬出的衬底搬入搬出口128以及晶片盒打开器121。在大气搬运室120的壳体127的后侧设置有用于将晶片200相对于加载互锁室130搬入搬出的衬底搬入搬出口129。衬底搬入搬出口129通过闸阀133而开放/关闭，由此能够使晶片200进出。(加载互锁室)加载互锁室130与大气搬运室120相邻。在构成加载互锁室130的壳体131所具有的面中的与大气搬运室120不同的面上配置有后述的真空搬运室140。在加载互锁室130内设置有衬底载置台136，该衬底载置台136至少具有两个用于载置晶片200的载置面135。根据后述的机械手170的臂所具有的末端执行器(endeffector)之间的距离来设定衬底载置面135之间的距离。(真空搬运室)衬底处理装置100具备成为在负压下搬运晶片200的搬运空间的作为搬运室的真空搬运室(传送模组(transfermodule))140。构成真空搬运室140的壳体141俯视观察形成为五边形，在五边形的各边上连结有加载互锁室130和对晶片200进行处理的模组(以下称为PM)即PM1～PM4。在真空搬运室140的大致中央部，以凸缘144为基部而设置有作为在负压下移载(搬运)晶片200的搬运部的搬运机械手170。设置在真空搬运室140内的真空搬运机械手170构成为能够通过升降机145和凸缘144在维持真空搬运室140的气密性的同时升降。机械手170所具有的两个臂180构成为能够升降。此外，在图2中，为了便于说明，显示了臂180的末端执行器，省略了作为其他结构的第一连杆构造等。在PM1、PM2、PM3、PM4上分别设置有反应器(以下称为RC)。具体地说，在PM1上设置有RC1、RC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理衬底的模组；搬运室，其与多个所述模组相邻；搬运部，其将所述衬底搬运到所述模组；接收部，其接收所述衬底的工艺信息；检测部，其检测每个所述模组的质量信息；将多个所述工艺信息与多个所述质量信息相对应的表格；存储部，其存储所述表格；以及控制器，其使用所述表格对由所述接收部接收到的所述工艺信息和由所述检测部检测出的所述质量信息进行比较，选择与所述工艺信息对应的所述模组，并且对所述搬运部进行指示以使该搬运部向所选择的所述模组搬运所述衬底。

【技术特征摘要】
2016.07.21 JP 2016-1433291.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理衬底的模组；搬运室，其与多个所述模组相邻；搬运部，其将所述衬底搬运到所述模组；接收部，其接收所述衬底的工艺信息；检测部，其检测每个所述模组的质量信息；将多个所述工艺信息与多个所述质量信息相对应的表格；存储部，其存储所述表格；以及控制器，其使用所述表格对由所述接收部接收到的所述工艺信息和由所述检测部检测出的所述质量信息进行比较，选择与所述工艺信息对应的所述模组，并且对所述搬运部进行指示以使该搬运部向所选择的所述模组搬运所述衬底。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述模组具有多个反应器，所述质量信息由多个所述反应器的共用部件的质量信息即共用部件质量信息、以及每个所述反应器单独的部件的质量信息即反应器质量信息构成。3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述存储部还存储多个工艺方案，所述控制器根据所述质量信息来选择工艺方案。4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述质量信息具有多个等级，所述控制器在选择所述模组时，判断由所述检测部检测出的质量信息是否满足根据所述工艺信息而要求的等级。5.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述检测部作为所述质量信息而检测构成所述模组的部件的运转时间或所述模组中的晶片累计处理张数。6.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述模组具有：气体供给系统，其向所述反应器供给气体；以及排气系统，其从所述反应器中排出气体，在所述检测部检测所述模组的运转时间时，检测所述气体供给系统或所述排气系统的运转时间。7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述存储部还存储多个工艺方案，所述控制器根...

【专利技术属性】
技术研发人员：水口靖裕，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP