一种化学槽上的盖合装置以及清洗机台制造方法及图纸

技术编号:17144467 阅读:42 留言:0更新日期:2018-01-27 16:41
本实用新型专利技术提供了一种化学槽上的盖合装置以及清洗机台,应用于清洗晶圆的清洗机台上,包括化学槽,化学槽设置于清洗机台内,其特征在于,还包括:与化学槽适配的盖板,盖板水平的盖合于化学槽的顶部;伸缩结构,设置于清洗机台的内部并与盖板连接,用以控制盖板于化学槽的顶部水平的伸缩移动,使盖板盖合或者远离化学槽的顶部;液体管,液体管连通化学槽,用以将化学槽中的液体排除至一回收装置。其技术方案的有益效果在于,通过设置于化学槽顶部的盖合装置可避免化学槽完全暴露于机台中,并且可有效解决化学槽中的酸性气体大量的溢出造成机台部件腐蚀损坏的问题。

A capping device on a chemical tank and a cleaning machine

The utility model provides a device and cleaning machine cover chemical bath, cleaning machine used for cleaning wafer, including chemical tank, chemical cleaning machine is arranged in the groove, which is characterized in that also includes a cover plate and a chemical tank adapter, to cover at the top level of chemical tank cover; a telescopic structure, arranged on the internal cleaning machine and connected with the cover plate with telescopic movement to control the chemical tank top level to cover the top of the cover plate is covered, or away from the chemical tank; liquid pipe, the liquid pipe is communicated with the chemical tank, with a recovery device to eliminate chemical liquid tank. The beneficial effect of its technical scheme is that the lid can be completely exposed to the machine platform by setting the lid device on the top of the chemical tank, and it can effectively solve the problem of corrosion and damage of the machine parts caused by a large number of acid gases in the chemical bath.

【技术实现步骤摘要】
一种化学槽上的盖合装置以及清洗机台
本技术涉及一种半导体器件的清洗设备领域,尤其涉及一种应用于清洗机台上的化学槽上的盖合装置。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)是一种常用的平坦化工艺,在诸如半导体制造领域,CMP被广泛应用于氧化膜等层间绝缘层制备,以及聚合硅电极、钨插塞、浅沟槽隔离结构以及铜互连结构制备等工艺,在CMP工艺中,研磨头与铜层的摩擦会产生大量的热量,研磨浆料会与铜发生反应从而形成研磨副产物,这些副产物会附着在研磨后的铜层表面,从而降低后续形成铜互连结构性能,因此需要在铜互连结构制备的CMP工艺后,进行清洗步骤,以去除CMP工艺中所产生的副产物,提高后续形成的铜互连结构的性能。现有的清洗操作步骤一般是将制成工艺后的晶圆放入清洗机台中的化学槽内进行清洗,其中清洗机台的化学槽内一般是酸性液体,由于化学槽在机台中处于暴露状态,化学槽中的这些酸性液体往往会排出酸性气体与机台中的部件反应,对机台中的其它部件造成腐蚀、损坏,影响机台的使用寿命。
技术实现思路
针对现有技术中在清洗机台中的化学槽存在的上述问题,现提供一种对化学槽进行遮盖,避免化学槽处于暴露状态,解决化学槽中的酸性气体大量溢出本文档来自技高网...
一种化学槽上的盖合装置以及清洗机台

【技术保护点】
一种化学槽上的盖合装置,应用于清洗晶圆的清洗机台上,包括化学槽,所述化学槽设置于所述清洗机台内,其特征在于,还包括:与所述化学槽适配的盖板,所述盖板水平的盖合于所述化学槽的顶部;伸缩结构,设置于所述清洗机台的内部,所述伸缩结构的一端设置于所述清洗机台的机架上,另一端与所述盖板连接,用以控制所述盖板于所述化学槽的顶部水平的伸缩移动,使所述盖板盖合或者远离所述化学槽的顶部;液体管,所述液体管连通所述化学槽,用以将所述化学槽中的液体排除至一回收装置。

【技术特征摘要】
1.一种化学槽上的盖合装置,应用于清洗晶圆的清洗机台上,包括化学槽,所述化学槽设置于所述清洗机台内,其特征在于,还包括:与所述化学槽适配的盖板,所述盖板水平的盖合于所述化学槽的顶部;伸缩结构,设置于所述清洗机台的内部,所述伸缩结构的一端设置于所述清洗机台的机架上,另一端与所述盖板连接,用以控制所述盖板于所述化学槽的顶部水平的伸缩移动,使所述盖板盖合或者远离所述化学槽的顶部;液体管,所述液体管连通所述化学槽,用以将所述化学槽中的液体排除至一回收装置。2.根据权利要求1所述的盖合装置,其特征在于,所述盖板的由PVC材质制成。3.根据权利要求1所述的盖合装置,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴智翔张弢刘鹏
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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