方位可调整的多区域静电夹具制造技术

本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法，该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤：使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板，ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布，将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括：递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。

Multi zone electrostatic fixture with adjustable azimuth

The implementation method described in this paper provides a method for processing the substrate on the substrate supporting component, which realizes the adjustment of the transverse and azimuth angles of the heat transfer between the electrostatic fixture and the substrate. The method includes the following steps: the first substrate is processed using the first temperature distribution on the ESC, and the ESC has a main heater and a adjustable heater in space. The offset distribution of the distribution of the deviation of the target result is determined from the result of processing the first substrate. Based on the offset distribution, the first temperature distribution is adjusted to the second temperature distribution on ESC. The temperature distribution is adjusted to second, which includes increasing the power of one or more adjustable space heaters in one or more discrete locations corresponding to the offset distribution. The second temperature distribution is then used to deal with the second substrate on the ESC.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】方位可调整的多区域静电夹具
本文所述的实施方式总体上涉及半导体制造，且更具体地涉及静电夹具的实时温度控制以及使用该静电夹具的实时温度控制的方法。
技术介绍
随着装置图案的特征尺寸变得更小，这些特征的临界尺寸(CD)要求变成对稳定且可重复的装置性能的更重要标准。因为腔室的不对称性，诸如腔室与基板温度、流动传导性以及RF场，所以跨处理腔室内所处理的基板的可允许的CD变化是难以达成。在使用静电夹具的工艺中，因为基板下方的夹具的非均质架构，所以跨基板表面的温度控制的均匀性变得甚至更有挑战性。例如，静电夹具的一些区域具有气孔，而其他区域具有与气孔横向偏移的升举销孔。又其他区域具有夹持电极，而其他区域具有与夹持电极横向偏移的加热器电极。因为静电夹具的结构可在横向与方位角两者上变化，夹具与基板之间的热传递的均匀性为复杂的并且非常难以获得，从而导致跨夹具表面的局部热点与冷点，这因此导致沿着基板表面的处理结果的不均匀性。夹具与基板之间的热传递的横向与方位角上的不均匀性由于传统的冷却板中通常使用的热传递方案而进一步复杂化，静电夹具安装至冷却板而形成基板支撑组件。例如，传统的冷却板通常仅具有边缘至中心的温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理基板支撑组件上的基板的方法，所述方法包括下述步骤：使用基板支撑组件上的第一温度分布来处理第一基板，所述基板支撑组件具有主加热器与空间上可调整的加热器；从处理所述第一基板的结果来确定偏移分布；响应于所述偏移分布，将所述第一温度分布调整为所述基板支撑组件上的第二温度分布，其中调整为所述第二温度分布包括：递增提供给所述空间上可调整的加热器中的一个或更多个的功率；及使用所述第二温度分布来处理所述基板支撑组件上的第二基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.22 US 62/165,5721.一种处理基板支撑组件上的基板的方法，所述方法包括下述步骤：使用基板支撑组件上的第一温度分布来处理第一基板，所述基板支撑组件具有主加热器与空间上可调整的加热器；从处理所述第一基板的结果来确定偏移分布；响应于所述偏移分布，将所述第一温度分布调整为所述基板支撑组件上的第二温度分布，其中调整为所述第二温度分布包括：递增提供给所述空间上可调整的加热器中的一个或更多个的功率；及使用所述第二温度分布来处理所述基板支撑组件上的第二基板。2.如权利要求1所述的方法，其中确定所述偏移分布包括下述步骤：输入数据至前馈控制器例程中，所述数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及上游计量工艺数据中的至少一者或更多者；从所输入的数据确定所需的基板温度补偿映射；及从工艺配方与所述基板温度补偿映射来创建所述偏移分布。3.如权利要求1所述的方法，其中确定所述偏移分布包括下述步骤：提供第一运行计量工艺数据至迭代学习控制器例程中；输入数据至所述迭代学习控制器例程中，所述数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及所述第一运行计量工艺数据中的至少一者或更多者；从所输入的数据确定所需的晶片温度补偿映射；及从工艺配方与所述温度补偿映射来创建所述偏移分布。4.如权利要求1所述的方法，其中确定所述偏移分布包括下述步骤：提供第K次运行计量工艺数据至迭代学习控制器例程中；输入处理数据至所述迭代学习控制器例程中，所述处理数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及第K次运行计量工艺数据中的至少一者或更多者；从所输入的数据确定所需的晶片温度补偿映射；将工艺灵敏性、目标工艺数据以及上游计量数据输入至前馈控制器例程中；及从工艺配方与所述温度补偿映射来创建所述偏移分布。5.如权利要求1所述的方法，其中调整所述基板支撑组件的所述第一温度分布进一步包括下述步骤：加热或冷却跨所述基板支撑组件的工件支撑表面而分布的多个离散位置。6.如权利要求1所述的方法，其中所述空间上可调整的加热器被同时供电，且其中所述空间上可调整的加热器中的至少两者具有不同的百分比功率输出。7.如权利要求1所述的方法，其中调整所述第一温度分布包括下述步骤：在对应于具有大约100％的功率输出的空间上可调整的加热器的位置处，增加所述基板支撑组件的工件支撑表面大约5摄氏度。8.一种存储程序的计算机可读取存储介质，所述程序当被处理器执行时执行用于处理基板支撑组件上的基板的操作，所述操作包括：使用基板支撑组件上的第一温度分布来处理第一基板，所述基板支撑组件具有主加热器与空间上可调整的加热器；从处理所述第一基板的结果来确定偏移分布；响应于所述偏移分布，将所述第一温度分布调整为所述基板支撑组件上的第二温度分布，其中调整为所述第二温度分布包括：递增提供给所述空间上可调整的加热器中的一个或更多个的功率；及使用所述第二温度分布来处理所述基板支撑组件上的第二基板。9.如权利要求8所述的计算机可读取存储介质，其中确定所述偏移分布包括：输入数据至前馈控制器例程中，所述数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及上游计量工艺数据中的至少一者或更多者；从所输入的数据确定所需的基板温度补偿映射；及从工艺配方与所述基板温度补偿映射来创建所述偏移分布。10.如权利要求8所述的计算机可读取存储介质，其中确定所述偏移分布包括：提供第一运行计量工艺数据至迭代学习控制器例程中；输入数据至所述迭代学习...

【专利技术属性】
技术研发人员：张纯磊，P·克里米诺儿，S·E·巴巴扬，D·乌尔斯特伦，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US