半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。其目的在于，降低排气系统的维护频率。半导体器件的制造方法具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向处理室内的衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，在形成膜的工序中，当原料不流过第一排气系统内时，经设置于第一排气系统的供给端口向第一排气系统内直接供给失活体，失活体为不同于反应体的物质。通过本发明专利技术，能够降低排气系统的维护频率。

Manufacturing method, substrate processing device and recording medium for semiconductor devices

The invention relates to a manufacturing method of a semiconductor device, a substrate processing device and a recording medium. The purpose is to reduce the maintenance frequency of the exhaust system. A method of manufacturing a semiconductor device with the specified number of times so as to form a film on the substrate through the process will include the steps of the cycle to the substrate processing chamber and supply of raw materials through the exhaust of the exhaust system, and the first step to deal with indoor substrate supply response body and the exhaust of the exhaust system in second processes, membrane forming process when the raw material, not through the first exhaust system, the exhaust system is arranged in the first supply port to the first exhaust system is supplied directly to inactivation, loss of living is different from the material reaction. Through the invention, the maintenance frequency of the exhaust system can be reduced.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序的一个工序，有进行包括向室内的衬底供给原料、反应体并经排气系统排气的工序的成膜处理。通过进行成膜处理而在排气系统内沉积了规定量的附着物时，在规定的时机进行排气系统的维护(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-069844号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术的目的在于，提供一种能够降低排气系统的维护频率的技术。用于解决问题的手段通过本专利技术的一个方式，提供一种技术，具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向所述处理室内的所述衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，在形成所述膜的工序中，当所述原料不流过所述第一排气系统内时，经设置于所述第一排气系统的供给端口向所述第一排气系统内直接供给失活体，所述失活体为不同于所述反应体的物质。专利技术效果通过本专利技术，能够降低排气系统的维护频率。附图说明图1是本专利技术的一个实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向所述处理室内的所述衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，在形成所述膜的工序中，当所述原料不流过所述第一排气系统内时，经设置于所述第一排气系统的供给端口向所述第一排气系统内直接供给失活体，所述失活体为不同于所述反应体的物质。

【技术特征摘要】
2016.06.23 JP 2016-1248281.一种半导体器件的制造方法，具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向所述处理室内的所述衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，在形成所述膜的工序中，当所述原料不流过所述第一排气系统内时，经设置于所述第一排气系统的供给端口向所述第一排气系统内直接供给失活体，所述失活体为不同于所述反应体的物质。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，向所述第一排气系统内交替流入所述原料和所述失活体。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，使附着于所述第一排气系统内的所述原料与所述失活体间歇地反应。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述原料包含卤元素，在形成所述膜的工序中，利用所述失活体，从附着于所述第一排气系统内的所述原料中抽出卤元素。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，使附着于所述第一排气系统内的所述原料与所述失活体反应，从而在所述第一排气系统内形成氧化膜。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一排气系统是不同于所述第二排气系统的排气系统。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，当经所述第二排气系统而对所述反应体进行排气时，向所述第一排气系统内供给所述失活体。8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，当向所述第一排气系统内供给所述失活体时，使所述第一排气系统内与所述处理室内处于非连通。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一排气系统是与所述第二排气系统同样的排气系统。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，在经所述排气系统将所述原料排气后、经所述排气系统开始所述反应体的排气前，向所述排气系统内供给所述失活体。11.根据权利要求9所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀池亮太，龟田贤治，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP