【技术实现步骤摘要】
一种PECVD设备用底座
本技术涉及PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,等离子体增强化学气相沉积法)设备。
技术介绍
在PLC(平面光波导)晶圆生产中,PECVD设备作为第一道也是最重要的一道工序,沉积芯层,但因为PECVD属于高温真空设备,如图1所示,包括底座1’、顶针2’和轴承3’。保养前后降温升温,腔体保养过程中使用湿布擦拭腔体,对于腔体中顶针的不锈钢轴承极其容易氧化生锈产生脏东西。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于PECVD设备的一体式铝制底座,保证生产过程中不会产生氧化生锈。实现上述目的的技术方案是:一种PECVD设备用底座,适用于包含针杆和针端的顶针,所述底座为一体式铝制底座,所述底座开有容所述针杆穿过的通孔,所述底座还开有连通所述通孔顶部并容纳所述针端的凹槽。在上述的PECVD设备用底座中,所述通孔的直径比所述针杆的直径大1-2mm。在上述的PECVD设备用底座中,所述凹槽的宽度比所述针端的宽度大1-2mm。本技术的有益效果是:本技术采用一体式铝制底座,可保证腔体工艺环境不被污染,长久保持腔体密封真空环境和提高生产效率。并且,去掉不锈钢轴承有效降低成本。附图说明图1是现有PECVD设备用底座的剖面图;图2是本技术的PECVD设备用底座的剖面图。具体实施方式下面将结合附图对本技术作进一步说明。请参阅图2,本技术的PECVD设备用底座,适用于包含针杆11和针端12的顶针1,底座3为一体式铝制底座,底座3开有容针杆11穿过的通孔31,3底座还开有连通通孔31顶部并容纳针端12的凹槽32。优选 ...
【技术保护点】
一种PECVD设备用底座,适用于包含针杆和针端的顶针,其特征在于,所述底座为一体式铝制底座,所述底座开有容所述针杆穿过的通孔,所述底座还开有连通所述通孔顶部并容纳所述针端的凹槽。
【技术特征摘要】
1.一种PECVD设备用底座,适用于包含针杆和针端的顶针,其特征在于,所述底座为一体式铝制底座,所述底座开有容所述针杆穿过的通孔,所述底座还开有连通所述通孔顶部并容纳所述针端的凹槽。2.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄惠良,夏国帅,曹袭,
申请(专利权)人:上海鸿辉光通科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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