衬底处理装置及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制颗粒的产生的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有：处理容器，对衬底进行处理；处理气体供给部，向处理容器供给处理气体；衬底载置台，设置于处理容器内；处理容器侧排气部，与处理容器连接；轴，以上端支承所述衬底载置台；轴支承部，对轴进行支承；开口孔，设置于贯穿有轴的处理容器的底壁；波纹管，具有配置于开口孔与轴支承部之间的可伸缩的波纹管壁，波纹管壁的内侧空间与处理容器的空间连通；波纹管侧气体供给排出部，将非活性气体向波纹管壁的内侧空间的供给与内侧空间的气氛的排气并行地进行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
技术介绍
近年来，闪存等半导体器件存在高集成化的趋势。随之，图案尺寸显著微细化。
技术实现思路
在经微细化的图案中，由于颗粒的影响变得更加显著，所以要求抑制颗粒的产生。鉴于上述课题，本专利技术的目的在于一种能够抑制颗粒的产生的技术。根据本专利技术的一方案，提供一种技术，其具有：处理容器，对衬底进行处理；处理气体供给部，向所述处理容器供给处理气体；衬底载置台，设置于所述处理容器内；处理容器侧排气部，与所述处理容器连接；轴，对所述衬底载置台进行支承；轴支承部，对所述轴进行支承；开口孔，设置于贯穿有所述轴的所述处理容器的底壁；波纹管，具有配置于所述开口孔与所述轴支承部之间的可伸缩的波纹管壁，所述波纹管壁的内侧空间与所述处理容器的空间连通；波纹管侧气体供给排出部，并行地进行将非活性气体向所述波纹管壁的内侧空间的供给与所述内侧空间的气氛的排气。根据本专利技术，可提供一种能够抑制颗粒的产生的技术。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的衬底处理装置的图。图2是第一实施方式的第一分散机构的说明图。图3是表示使用磁流体密封件使衬底载置台旋转的例子的图。图4是表示图1所示的衬底处理装置的衬底处理工序的流程图。图5是表示图1所示的成膜工序的详情的流程图。图6是用于说明衬底载置台的晶片搬送位点的图。具体实施方式以下，说明本专利技术的第一实施方式。＜装置构成＞将本实施方式的衬底处理装置100的构成示于图1。如图1所示，衬底处理装置100以单片式的衬底处理装置的形式构成。(处理容器)如图1所示，衬底处理装置100包括处理容器202。处理容器202构成为例如横截面为圆形且扁平的密封容器。另外，处理容器202例如由铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。在处理容器202内形成有：处理作为衬底的硅晶片等晶片200的处理空间201、和在将晶片200向处理空间201搬送时供晶片200通过的搬送空间203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔板204。在下部容器202b的侧面设置有与闸阀205相邻的衬底搬入搬出口206，晶片200经由衬底搬入搬出口206在下部容器202b与未图示的搬送室之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个提升销207。而且，下部容器202b接地。闸阀205包括阀体205a和驱动体205b。阀体205a固定于驱动体205b的一部分。打开闸阀时，驱动体205b以远离处理容器202的衬底搬入搬出口206的方式工作，使阀体205a与处理容器202的侧壁分离。关闭闸阀时，驱动体205b朝向处理容器202的衬底搬入搬出
口206移动，将阀体205a压靠于处理容器202的侧壁，从而关闭衬底搬入搬出口206。在处理空间201内设置有支承晶片200的衬底载置台212。衬底载置台212主要包括载置晶片200的载置面211、和内置于衬底载置台212的作为加热源的加热器213。在衬底载置台212中，在与提升销207对应的位置处分别设置有供提升销207贯通的贯通孔214。。衬底载置台212通过轴217进行支承。在图中，衬底载置台212被轴217的上端支承，但只要轴217支承衬底载置台212即可，也可以不用上端支承。例如，可以为下述结构，即，在衬底载置台212的底部设置孔穴，并在轴217的侧面设置支承机构。这种情况下，将轴217插入所述孔穴，并通过设置于轴217的侧面的支承机构来支承衬底载置台。轴217的主部贯穿设置于处理容器202的底壁的、直径比轴217的直径大一些的开口孔208，进而经由支承板216在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218工作而使轴217及支承台212升降，能够使载置于衬底载置面211上的晶片200升降。需要说明的是，轴217的下方被波纹管219覆盖。处理容器202内保持气密。需要说明的是，支承台212也称为轴支承部。在轴支承部中可以包括升降机构218。在升降机构218中设置有用于控制轴的升降的升降控制部171。升降控制部171例如为升降机。升降控制部171主要包括使支承轴217的升降机构218升降的工作部171a。工作部171a具有包含例如用于实现升降的电动机的升降机构171b。需要说明的是，在升降控制部171内，作为升降控制部171的一部分，还可以设置用于向工作部171b进行旋转指示的指示部171c。指示部171c与控制器280电连接。指示部171e基于控制器280的指示，控制工作部171a。波纹管219例如由不锈钢构成。波纹管219由以将多个圆周状的不锈钢板熔接从而形成蛇腹状的方式连接而成的波纹管壁构成。波纹管壁为可伸缩的结构。在波纹管219的上端与处理容器202的底壁之间设置有上按压部220。作为非活性气体供给部的一部分的非活性气体供给管221a与上按压部220连接，并与波纹管219的内侧空间连通。在非活性气体供给管221a上，从上游开始依次设置有非活性气体供给源221b、阀221c、质量流量控制器221d、压力检测器221e。从非活性气体供给源221b供给的非活性气体经由阀221c、质量流量控制器221d，被供给至波纹管219的上端与处理容器202的底壁之间。非活性气体供给部221主要由阀221c、质量流量控制器221d、非活性气体供给管221a构成。在非活性气体供给部221中可以包括非活性气体供给管221a、非活性气体供给源221b、压力检测器221e。需要说明的是，还可以将非活性气体供给部221称为波纹管侧非活性气体供给部、或第一非活性气体供给部。作为波纹管侧气体排出部222的一部分的排气管222a与支承板216连接，并与波纹管219的内侧空间连通。在波纹管侧排气管222a上，从上游开始设置有阀222b、泵222c。打开阀222b，使泵222c工作，由此能够排出波纹管219的内侧空间的气氛。波纹管侧气体排出部222主要由阀222b、波纹管侧排气管222a构成。另外，在波纹管侧气体排出部222中可以包括泵222c。需要说明的是，将第一非活性气体供给部221和波纹管侧气体排出部222统称为波纹管侧气体供给排出部。需要说明的是，所谓波纹管219的内侧空间，是表示波纹管壁的内侧空间。此处称为波纹管219的内侧空间。对于衬底载置台212，在搬送晶片200时，如图6所示，衬底载置面211下降至与衬底搬入搬出口206相对的位置(晶片搬送位置、晶片搬送位点)，在处理晶片200时，如图1所示，晶片200上升至处理空间201内的处理位置(晶片处理位置、晶片处理位点)。具体而言，在使衬底载置台212下降至晶片搬送位置时，提升销207的上端部从衬底载置面211的上表面突出，提升销207从下方支承晶片200。另外，在使衬底载置台212上升至晶片处理位置时，提
升销207从衬底载置面211的上表面没入，衬底载置面211从下方支承晶片200。需要说明的是，提升销207由于与晶片200直接接触，所以优选由例如石英、氧化铝等材质形成。在处理容器202中设置有压力传感器221f。压力传感器221f对反应容器202的压力进行检测。压力传感器221f设置于例如处理容器的底壁、开口孔208本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其包括：处理容器，对衬底进行处理；处理气体供给部，向所述处理容器供给处理气体；衬底载置台，设置于所述处理容器内；处理容器侧排气部，与所述处理容器连接；轴，对所述衬底载置台进行支承；轴支承部，对所述轴进行支承；开口孔，设置于贯穿有所述轴的所述处理容器的底壁；波纹管，具有配置于所述开口孔与所述轴支承部之间的可伸缩的波纹管壁，所述波纹管壁的内侧空间与所述处理容器的空间连通；波纹管侧气体供给排出部，并行地进行将非活性气体向所述波纹管壁的内侧空间的供给与所述内侧空间的气氛的排气。

【技术特征摘要】
2015.04.28 JP 2015-0915851.一种衬底处理装置，其包括：处理容器，对衬底进行处理；处理气体供给部，向所述处理容器供给处理气体；衬底载置台，设置于所述处理容器内；处理容器侧排气部，与所述处理容器连接；轴，对所述衬底载置台进行支承；轴支承部，对所述轴进行支承；开口孔，设置于贯穿有所述轴的所述处理容器的底壁；波纹管，具有配置于所述开口孔与所述轴支承部之间的可伸缩的波纹管壁，所述波纹管壁的内侧空间与所述处理容器的空间连通；波纹管侧气体供给排出部，并行地进行将非活性气体向所述波纹管壁的内侧空间的供给与所述内侧空间的气氛的排气。2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述波纹管侧气体供给排出部具有：第一非活性气体供给部，与设置于所述波纹管壁的上端与所述处理容器的底壁之间的非活性气体供给孔连接，向所述内侧空间供给非活性气体，和波纹管侧气体排出部，设置于比所述非活性气体供给孔更靠下方的位置，经由将所述内侧空间的气氛排出的波纹管侧排气孔而与所述波纹管壁的内侧空间连通。3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述波纹管侧排气孔设置于比所述波纹管壁的下端更靠下方的位置。4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述衬底载置台在搬送衬底期间设定于搬送位置，在处理衬底期间设定于处理位置，当所述衬底载置台设定于处理位置期间，从所述非活性气体供给孔供给非活性气体，并从所述波纹管侧排气孔将所述内侧空间的气氛
\t排出。5.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述波纹管侧排气孔设置于比配置于所述轴的外周的磁流体密封件高的位置。6.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述处理气体供给部具有供给原料气体的原料气体供给部和供给非活性气体的第二非活性气体供给部，在所述原料气体供给部向所述处理容器供给原料气体期间，所述波纹管侧气体供给排出部以第一供给量向所述内部空间供给非活性气体，在从所述第二非活性气体供给部向所述处理容器供给非活性气体期间，所述波纹管侧气体供给排出部以少于所述第一供给量的供给量向所述内部空间供给非活性气体。7.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述处理气体供给部具有供给反应气体的反应气体供给部和供给非活性气体的第二非活性气体供给部，在所述反应气体供给部向所述处理容器供给反应气体期间，所述波纹管侧气体供给排出部以第二供给量向所述内部空间供给非活性气体，在从所述第二非活性气体供给部向所述处理容器供给非活性气体期间，所述波纹管侧气体供给排出部以少于所述第二供给量的供给量向所述内部空间供给非活性气体。8.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述衬底载置台在搬送衬底期间设定于搬送位置，在处理衬底期间设定于处理位置，当所述衬底载置台设定于处理位置期间，从所述非活性气体供给孔供给非活性气体，并从所述波纹管侧排气孔将所述内侧空间的气氛...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥哲，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP