本发明提供一种衬底处理装置以及半导体装置的制造方法，能够形成离子损伤等较少的高品质的膜。为解决上述课题，提供一种衬底处理装置，具有：原料气体供给系统，其具有与原料气体源连接，并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；反应气体供给系统，其...

本发明提供一种衬底处理装置，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间...

包括通过进行规定次数的包括如下工序的循环而在衬底上形成膜的工序，所述循环包括如下工序：对处理室内的衬底供给原料气体；将残留于处理室内的原料气体排出；对处理室内的衬底供给反应气体；将残留于处理室内的反应气体排出，在供给原料气体的工序中，在...

一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，该衬底处理装置具有：对衬底进行处理的处理室；设在处理室的上方，具有对处理室均匀地供给气体的分散板的缓冲室；设在缓冲室的作为顶棚部构造而构成的顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有处理气体供给部的处...

为解决在使用喷头的装置中也能维持高运转效率的课题，本发明提供一种衬底处理装置，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设有反应气体供给控制部的反应气体...

一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，提高在衬底上形成的膜的衬底面内均匀性，包括如下工序：通过将以不同时的方式进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、除去处理室内的原料气体的工序、对处理室内的衬底供给化学结构不同于原料气体的反应气体的...

利用白色空间的无线通信系统中，大力研究了对一次利用者的系统的相干涉，但另一方面，对被干涉环境的对策并不充分。在本发明中，无线通信终端具备：阵列天线(101)；MAC处理部(104)，以检测1次系统为目的设置，对从所述基站事先通知的静寂期...

本发明涉及高效率地除去喷头内的副产物、并抑制颗粒生成的半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置。本发明的半导体器件的制造方法，具有：成膜工序，通过喷头向处理室内的衬底上供给成膜气体和非活性气体，在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，在所...

本发明在白色空间用系统中导入了多信道MAC。基站和终端站分别由多个无线通信部及它们的集中控制部构成。各个无线通信部进行一条信道量的无线收发。基站按照白色空间信道的状况采用多条或者一条信道，并分配给终端站。在采用多条信道的情况下，能够选择...

本发明提供衬底处理系统、半导体器件的制造方法及存储介质，来提高形成在衬底上的膜的特性，并提高生产量。上述衬底处理系统具有：收纳衬底的多个处理室；向多个上述处理室依次供给处理气体的处理气体供给系统；向多个上述处理室依次供给被活化的反应气体...

本发明提供一种衬底处理装置和半导体器件的制造方法，使从多个供给管供给的气体在到达至处理容器之前混合，来抑制在供给至处理容器的气体中产生浓度梯度。衬底处理装置具有：通用管，与处理容器连接，且使第1和第2处理气体通过；缓冲部，与通用管的上游...

抑制衬托器与簇射头之间的温度差的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。衬底处理装置构成为，具有：处理室，对衬底进行处理；衬底载置部，配置在处理室内，在表面具有载置衬底的衬底载置面，并且具有第1加热器；簇射头，具有第2加热器，并且设在与衬底...

本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在使用了缓冲空间的枚叶式装置中，也会抑制缓冲空间的副产物的产生。为了解决上述课题，提供一种衬底处理装置，具有：处理室，其具有载置部，该载置部具有供衬底载置的载置面；喷头，其具有缓冲室...

本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法。若在流过原料气体的定时在ALD成膜中腔室内压力急剧变化，则衬底发生偏移，由此原料气体进入晶片背面，在灯表面发生成膜。衬底处理装置包括：衬底处理室，对衬底进行处理；气体供给部，在对衬底处理...

本发明涉及衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法，本发明提供能够抑制副产物的发生并能够提高衬底的面内均匀性的衬底处理装置、衬底处理方法及半导体制造装置的制造方法。所述衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；气体供给部，具有在所述处...

本发明涉及半导体装置的制备方法及衬底处理装置。在形成含有规定元素、碳和氮的膜时，提高膜中的组成的控制性。本发明的半导体装置的制备方法具有通过进行规定次数的循环从而在衬底上形成含有规定元素、碳和氮的膜的工序，所述循环含有以下工序：向衬底供...

本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，能够使在衬底上形成的膜的特性提高，并且能够使生产能力提高。具有以下工序：向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向上述等离子体生成区域供给高频电力的工...

在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有：将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述...

一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有：供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等...

抑制处理容器内的处理气体的液化。具有：收纳衬底的处理容器；向所述衬底供给处理气体的气体供给部；封闭所述处理容器的盖体；设置在所述盖体上的热导体；和加热所述热导体的热导体加热部。