衬底处理装置及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种衬底处理装置，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
在半导体制造装置等衬底处理装置中，公知为了实施超高真空加工而在排气系统中使用润轮分子泵(TMP (Turbo Molecular Pump))等真空泵(例如专利文献I )。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平11 - 300193号公报涡轮分子泵等实现高真空或超真空的真空泵通常不能说临界背压高，在其下游侧设置用于排气至大气压的辅助泵。通常像这样在真空泵的下游侧连接其他构成要素，但该其他构成要素可能成为引起真空泵下游侧的压力变动的主要原因。在真空泵的下游侧的压力由于某些理由而上升的情况下，存在气体逆流至该真空泵而导致其动作变得不稳定的隐串■/Q1、O
技术实现思路
本专利技术鉴于上述课题，目的在于提供一种防止设在排气系统中的真空泵的动作变得不稳定的。本专利技术的一个方式的衬底处理装置为向处理空间供给气体而对衬底进行处理的衬底处理装置，其具有:在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第I排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其向处理空间供给气体而对衬底进行处理，该衬底处理装置具有：在所述处理空间的上游侧使所述气体分散的缓冲空间；在将所述衬底向所述处理空间搬运时供所述衬底通过的搬运空间；与所述搬运空间连接的第1排气管；与所述缓冲空间连接的第2排气管；与所述处理空间连接的第3排气管；与所述第1排气管、所述第2排气管及所述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于所述第1排气管的第1真空泵；设于所述第4排气管的第2真空泵；在所述第1排气管中设于所述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于所述第2排气管的第2阀；以及设于所述第3排气管的第3阀。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：芦原洋司，小川有人，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP