半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。随着衬底处理温度变高，提高工艺的再现性·稳定性。本发明专利技术具有：将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，向所述衬底供给含有金属的气体的工序，向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，重复工序，对下述工序进行重复：供给所述含有金属的气体的工序，供给所述第一含氧气体和所述稀释气体的工序，及在所述重复工序中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，进行对衬底供给处理气体和反应气体，从而在衬底上形成膜的处理工序。例如，存在专利文献1中记载的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-183271
技术实现思路
专利技术要解决的问题近年来，半导体器件的微细化中所要求的技术要求变高，当在衬底上形成器件(device)的情况下，有时器件特性的均匀性降低。本专利技术的目的在于，提供提高器件特性的均匀性的技术。用于解决问题的手段根据一个方式，提供一种技术，具有：将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序；向所述衬底供给含有金属的气体的工序；向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种；重复工序，对下述工序进行重复：供给所述含有金属的气体的工序，供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种；及在所述重复工序中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量的工序。专利技术效果根据本专利技术涉及的技术，能够提高器件特性的均匀性。附图说明图1是一实施方式涉及的腔室的纵剖面的概略图。图2是用于说明一实施方式涉及的气体供给系统的图。图3是一实施方式涉及的衬底处理系统的控制器的概略构成图。图4是一实施方式涉及的衬底处理工序的流程图。图5是一实施方式涉及的衬底处理工序的顺序图。图6是一实施方式涉及的衬底处理工序的其他顺序图。图7是一实施方式涉及的衬底处理工序的其他顺序图。图8是一实施方式涉及的衬底处理工序的其他顺序图。图9是一实施方式涉及的衬底处理工序中使用的衬底例的说明图。图10是应用了一实施方式涉及的衬底处理工序的DSA工序的说明图。图11的(a)～(h)是用于说明应用了一实施方式涉及的衬底处理工序的多次图案化工序的概略剖面图。附图标记说明100衬底处理装置200晶片(衬底)201处理室(处理空间)260控制部(控制器)具体实施方式<一实施方式>(1)衬底处理装置的构成对一实施方式涉及的衬底处理装置进行说明。对本实施方式的衬底处理装置100进行说明。衬底处理装置100以单片式衬底处理装置的形式构成。在衬底处理装置中，进行半导体器件制造的一个工序。如图1所示，衬底处理装置100包括处理容器202。处理容器202构成为例如横截面为圆形、且扁平的密闭容器。另外，处理容器202由例如铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料或石英构成。在处理容器202内，形成有对作为衬底的硅晶片等晶片200进行处理的处理空间(处理室)201、搬送空间(移载室)203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔部204。将上部处理容器202a所包围的空间、且为比分隔板204靠上方的空间称为处理空间(也称为处理室)201，将下部容器202b所包围的空间、且为比分隔板204靠下方的空间称为移载室203。在下部容器202b的侧面设置有与闸阀1490邻接的衬底搬入搬出口1480，晶片200经由衬底搬入搬出口1480在处理室与未图示的搬送室之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个提升销207。而且，下部容器202b接地。在处理室201内设置有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210具有：载置晶片200的载置面211和表面上具有载置面211和外周面215的衬底载置台212。优选的是，设置作为第一加热部的加热器213。通过设置加热部，能够加热衬底、并提高形成于衬底上的膜的品质。还可以在衬底载置台212上、在与提升销207对应的位置处分别设置供提升销207贯通的贯通孔214。需要说明的是，形成于衬底载置台212的表面的载置面211的高度可以形成为与外周面215相比低了相当于晶片200的厚度的长度的量。通过以上述方式构成，能够减小晶片200的上表面的高度与衬底载置台212的外周面215之间的高度差，能够抑制由该高度差而发生的气体的乱流。另外，当气体的乱流对晶片200的处理均匀性没有影响的情况下，也可以构成为外周面215的高度成为与载置面211处于同一平面上的高度以上。衬底载置台212通过轴217支承。轴217贯通处理容器202的底部，进而在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218工作而使轴217及衬底载置台212升降，从而构成为能够使载置于衬底载置面211上的晶片200升降。需要说明的是，轴217下端部的周围由波纹管219覆盖，处理空间201内保持气密。对于衬底载置台212而言，在晶片200的搬送时，下降至衬底载置面211处于衬底搬入搬出口1480的位置(晶片搬送位置)，在晶片200的处理时，如图1所示，晶片200上升至处理室201内的处理位置(晶片处理位置)。具体而言，在使衬底载置台212下降至晶片搬送位置时，使得提升销207的上端部从衬底载置面211的上表面突出，从而使提升销207从下方支承晶片200。另外，在使衬底载置台212上升至晶片处理位置时，使得提升销207从衬底载置面211的上表面没入，从而使衬底载置面211从下方支承晶片200。需要说明的是，由于提升销207与晶片200直接接触，所以优选由例如石英、氧化铝等材质形成。此外，在下部容器202b的内壁设置作为温度调节部的第二加热部(移载室加热部)314。第二加热部314构成为能够加热移载室203内、设置于移载室203内的各部。第二加热部314能够抑制进入移载室203的气体在移载室203内被冷却至低于气化原料的沸点的温度从而发生液化，抑制其向下部容器202b的表面吸附。优选的是，以抑制所吸附的气体发生液化的方式进行加热。另外，抑制氧化剂向下部容器202b的表面、后述的防吸附部302的表面的吸附。这里，所谓液化，包括结露、凝结等现象。第二加热部314由侧部温度调节部314a和底部温度调节部314b中的任一者或两者构成。温度测定部2341、2345分别测定下部容器202b的侧部、底部的温度。通过温度控制部2343、2347而进行侧部温度调节部314a、底部温度调节部314b的加热处理。通过设置温度调节部314，能够将移载室203的各部(侧部、底部)加热至均匀的温度。温度控制部2343、2347与后述控制器260电连接、并被控制。另外，通过第二加热部即温度调节部314对移载室203进行加热，由此能够均匀地加热移载室203，且使气体不向各部吸附。侧部温度调节部314a以围绕移载室203的方式设置。底部温度调节部314b设置于移载室203的底部。需要说明的是，温度调节部314的温度通过供给至各部的电力而被调节、且通过控制部260进行控制。需要说明的是，后述的成膜工序中的移载室203的温度例如被加热至第一气体和第二气体的任一者或两者不会吸附的温度以上。更优选的是，设定为氧化剂不发生液化的温度以下。另外，也可以在氧化剂发生液化之后，加热至氧化剂蒸发的温度。另外，也可以构成为使侧部温度调节部314a的温度与底部温度调节部314b的温度不同。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，具有：(a)将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，(b)向所述衬底供给含有金属的气体的工序，(c)向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，(d)重复所述工序(b)和所述工序(c)的工序，在所述工序(d)中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。

【技术特征摘要】
2017.03.02 JP 2017-0393491.一种半导体器件的制造方法，具有：(a)将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，(b)向所述衬底供给含有金属的气体的工序，(c)向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，(d)重复所述工序(b)和所述工序(c)的工序，在所述工序(d)中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，具有(e)在将所述工序(d)进行规定次数后，供给第三含氧气体的工序。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述工序(d)中，所述稀释气体的供给流量逐渐减小，所述第一含氧气体的供给流量逐渐增大。4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述工序(d)中，所述稀释气体的供给流量逐渐减小，所述第一含氧气体的供给流量逐渐增大。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。7.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。8.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。9.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)中，连续进行所述第一工序和所述第二工序。10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)中，连续进行所述第一工序和所述第二工序。11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一含氧气体为与所述有机材料膜相比更与...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本克彦，大桥直史，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP