半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。随着衬底处理温度变高，提高工艺的再现性·稳定性。本发明专利技术具有：将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，向所述衬底供给含有金属的气体的工序，向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，重复工序，对下述工序进行重复：供给所述含有金属的气体的工序，供给所述第一含氧气体和所述稀释气体的工序，及在所述重复工序中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，进行对衬底供给处理气体和反应气体，从而在衬底上形成膜的处理工序。例如，存在专利文献1中记载的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-183271
技术实现思路
专利技术要解决的问题近年来，半导体器件的微细化中所要求的技术要求变高，当在衬底上形成器件(device)的情况下，有时器件特性的均匀性降低。本专利技术的目的在于，提供提高器件特性的均匀性的技术。用于解决问题的手段根据一个方式，提供一种技术，具有：将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序；向所述衬底供给含有金属的气体的工序；向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种；重复工序，对下述工序进行重复：供给所述含有金属的气体的工序，供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种；及在所述重复工序中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，具有：(a)将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，(b)向所述衬底供给含有金属的气体的工序，(c)向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，(d)重复所述工序(b)和所述工序(c)的工序，在所述工序(d)中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。

【技术特征摘要】
2017.03.02 JP 2017-0393491.一种半导体器件的制造方法，具有：(a)将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，(b)向所述衬底供给含有金属的气体的工序，(c)向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，(d)重复所述工序(b)和所述工序(c)的工序，在所述工序(d)中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，具有(e)在将所述工序(d)进行规定次数后，供给第三含氧气体的工序。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述工序(d)中，所述稀释气体的供给流量逐渐减小，所述第一含氧气体的供给流量逐渐增大。4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述工序(d)中，所述稀释气体的供给流量逐渐减小，所述第一含氧气体的供给流量逐渐增大。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。7.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。8.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)具有：以第一流量供给所述第一含氧气体的第一工序，和以第二流量供给所述稀释气体的第二工序。9.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)中，连续进行所述第一工序和所述第二工序。10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述工序(d)中，连续进行所述第一工序和所述第二工序。11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一含氧气体为与所述有机材料膜相比更与...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本克彦，大桥直史，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP