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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。随着衬底处理温度变高，提高工艺的再现性·稳定性。本发明具有：将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，向所述衬底供给含有金属的气体的工序，向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

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