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半导体外延生长衬底制造技术
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文档序号:8162743
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本发明揭示一种划分成子区域的生长衬底,包括:生长衬底,形成在生长衬底第一主表面上的沟槽,氧化覆盖物或氮化覆盖物形成在沟槽中,沟槽把生长衬底分隔成至少两个子区域。沟槽的俯视形状包括,直线形状、圆弧形、曲线形、不规则形状。子区域的形状包括,三角...
该专利属于张涛;彭晖所有,仅供学习研究参考,未经过张涛;彭晖授权不得商用。
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