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本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本发明还提供所述多波长...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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