【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种具有碳纳米管层的发光二极管。
技术介绍
由氮化镓半导体材料制成的高效蓝光、绿光和白光发光二极管具有寿命长、节能、绿色环保等显著特点，已被广泛应用于大屏幕彩色显示、汽车照明、交通信号、多媒体显示和光通讯等领域，特别是在照明领域具有广阔的发展潜力。传统的发光二极管通常包括N型半导体层、P型半导体层、设置在N型半导体层与P型半导体层之间的活性层、设置在P型半导体层上的P型电极(通常为透明电极)以及设置在N型半导体层上的N型电极。发光二极管处于工作状态时，在P型半导体层与N型半 导体层上分别施加正、负电压，这样，存在于P型半导体层中的空穴与存在于N型半导体层中的电子在活性层中发生复合而产生光子，且光子从发光二极管中射出。然而，现有的发光二极管光取出效率(光取出效率通常指活性层中所产生的光波从发光二极管内部释放出的效率)较低，其主要原因如下其一，由于半导体的折射率大于空气的折射率，来自活性层的光波在半导体与空气的界面处发生全反射，从而大部分光波被限制在发光二极管的内部，直至被发光二极管内的材料完全吸收。其二，光取出效率低导致发光二...
【技术保护点】
一种发光二极管，其包括：一下电极、一第一半导体层、一活性层，一第二半导体层以及一上电极，所述活性层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间，所述下电极与所述第一半导体层电连接设置，所述上电极与所述第二半导体层电连接设置，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面，其特征在于，所述第一半导体层靠近下电极的表面为具有多个纳米级的凹槽形成一图形化的表面。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其包括一下电极、一第一半导体层、一活性层，一第二半导体层以及一上电极，所述活性层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间，所述下电极与所述第一半导体层电连接设置，所述上电极与所述第二半导体层电连接设置，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面，其特征在于，所述第一半导体层靠近下电极的表面为具有多个纳米级的凹槽形成一图形化的表面。2.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽的最大宽度为50纳米 100纳米。3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽之间的距离为10纳米 10微米。4.一种发光二极管，其包括一下电极、一碳纳米管层、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一上电极，所述活性层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间，且所述第一半导体层靠近下电极设置，所述上电极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面，其特征在于，所述第一半导体层靠近下电极的表面具有多个凹槽以形成一图形化表面，所述碳纳米管层设置于该图形化的表面，并嵌入该多个凹槽中。5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层为一连续的自支撑结构。6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管有序或无序排列。7.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜、多个碳纳米管线状结构或其组合。8.如权利要求4所述的发光二极管，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏洋，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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