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本发明涉及一种发光二极管，其包括：一下电极、一碳纳米管层、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及一上电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述下电极的一侧,且所述第一半导体层靠近下电极设置，所述上电极与所述第二半...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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