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本发明涉及一种高电流取出效率LED，包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。所述的基底为P-GaN层。在外延片表面沉积反射率大于70%的金...
该专利属于聚灿光电科技(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技(苏州)有限公司授权不得商用。

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