GaN基倒装LED微显示结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN基倒装LED微显示结构及其制作方法，其中制作方法包括如下步骤：S1.提供GaN基倒装LED外延片，对其中p-GaN层进行ICP刻蚀，形成第一沟槽；S2.ISO刻蚀，对GaN基倒装LED外延片中显示单元进行ICP刻蚀，形成第二沟槽；S3.在n-GaN层上制作N电极；S4.在第二沟槽处沉积绝缘层，并制作相应绝缘层图形；S5.制作反射镜层和保护金属层；S6.制作保护层，并保留第一引脚和第二引脚；S7.对LED芯片进行研磨、减薄。通过本发明专利技术的GaN基倒装LED微显示结构可得到可寻址的微显示LED，配合相应驱动电路，其可实现晶圆级的微显示，拓展了GaN基倒装LED应用领域。

【技术实现步骤摘要】
GaN基倒装LED微显示结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体发光器件
，特别是涉及一种GaN基倒装LED微显示结构、及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。GaN作为第三代半导体材料代表之一，具有直接带隙、宽禁带、高饱和电子漂移速度、高击穿电场和高热导率等优异性能，在微电子应用方面得到了广泛的关注。倒装芯片被称为“倒装”是因为相对于传统的金属线键合连接方式与植球后的工艺而言的。传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下设置。针对GaN基倒装LED芯片而言，现有的GaN基倒装LED芯片往往无法实现晶圆级的微显示，限制了GaN基倒装LED芯片的应用。因此，针对上述技术问题，有必要提供进一步的解决方案。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种GaN基倒装LED微显示结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：S1.提供GaN基倒装LED外延片，对其中p‑GaN层进行ICP刻蚀，形成第一沟槽；S2.ISO刻蚀，对GaN基倒装LED外延片中n‑GaN层进行ICP刻蚀，形成第二沟槽；S3.在n‑GaN层上制作N电极；S4.在所述第二沟槽处沉积绝缘层，并制作相应绝缘层图形；S5.在相应区域制作反射镜层和保护金属层；S6.在所述保护金属层上制作保护层，并保留第一引脚和第二引脚；S7.对LED芯片进行研磨、减薄。

【技术特征摘要】
1.一种GaN基倒装LED微显示结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：S1.提供GaN基倒装LED外延片，对其中p-GaN层进行ICP刻蚀，形成第一沟槽；S2.ISO刻蚀，对GaN基倒装LED外延片中n-GaN层进行ICP刻蚀，形成第二沟槽，以限定若干独立的功能单元；S3.在n-GaN层上制作N电极；S4.在所述第二沟槽处沉积绝缘层，并制作相应绝缘层图形；S5.在相应区域制作反射镜层和保护金属层；S6.在所述保护金属层上制作保护层，并保留多个第一引脚和多个第二引脚，每一第一引脚与多个功能单元相配合，每一第二引脚与多个功能单元相配合,且与每一功能单元相配合的第一引脚与第二引脚的组合均不同；S7.对LED芯片进行研磨、减薄。2.根据权利要求1所述的GaN基倒装LED微显示结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S1、S2中，所述ICP刻蚀使用SF6作为刻蚀气体。3.根据权利要求1或2所述的GaN基倒装LED微显示结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S1、S2中，所述ICP刻蚀过程中使用CH4、CHF3、C4H8中的一种作为钝化气体。4.根据权利要求1所述的GaN基倒装LED微显示结构的制作方...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴飞翔，李庆，晏平，陈立人，蔡睿彦，
申请(专利权)人：聚灿光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32