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本发明公开了一种GaN基倒装LED微显示结构及其制作方法，其中制作方法包括如下步骤：S1.提供GaN基倒装LED外延片，对其中p-GaN层进行ICP刻蚀，形成第一沟槽；S2.ISO刻蚀，对GaN基倒装LED外延片中显示单元进行ICP刻蚀，形...
该专利属于聚灿光电科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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