【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于半导体封装
。
技术介绍
在半导体封装中，随着高导电、小尺寸的需求，半导体芯片与基板之间互联开始广泛采用倒装工艺。并且，随着芯片高I/o的输出，为减小芯片与基板之间焊接金属球之间的间距，目前主要是在芯片主动面的电极位置制作铜凸点，再在铜凸点上制作锡球，经过高温回流焊实现芯片凸点与基板之间的焊接。芯片铜凸点上的锡与基板之间实现焊接，必须通过高温回流焊。由于回流焊的温度非常高，过程中需要达到260摄氏度，在此过程中，由于基板本身材质结构比较复杂，在高温的情况下，由于基板、芯片、铜凸点CTE差异比较大，容易造成基板翘曲，从而影响芯片与基板之间的焊接质量，造成基板线路的破坏。另外由于芯片铜凸点通过锡球实现与基板的焊接，而在高温回流焊的过程中，锡容易熔化跑锡造成短路，所以一定程度上影响了芯片的密间距输出。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供，其芯片倒装不需经过回流焊，避免了由于高温而造成的CTE不匹配引起的翘曲问题。 本专利技术的目的是这样实现的:一种半导体倒装结构，它包括基板和芯片，所述基板正面设置有铝焊垫，所述芯片正面电极上设置有铝凸点，所述芯片的铝凸点冷压焊于基板的铝焊垫上。 一种半导体倒装结构的工艺方法，所述方法包括如下步骤:步骤一、在芯片正面电极上制作铝凸点；步骤二、在基板正面焊垫位置电镀铝；步骤三、芯片通过超声波与冷压焊相结合的方式倒装于基板上。 与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果:1、铝材质比较软，所以芯片铝凸点与引线框上的铝层可以实现冷压焊接，不需要进行高...
【技术保护点】
一种半导体倒装结构，其特征在于：它包括基板（1）和芯片（4），所述基板（1）正面设置有铝焊垫（2），所述芯片（4）正面电极上设置有铝凸点（3），所述芯片（4）的铝凸点（3）冷压焊于基板（1）的铝焊垫（2）上。
【技术特征摘要】
1.一种半导体倒装结构，其特征在于:它包括基板(I)和芯片(4)，所述基板(I)正面设置有铝焊垫(2)，所述芯片(4)正面电极上设置有铝凸点(3)，所述芯片(4)的铝凸点(3)冷压焊于基板(I)的铝焊垫(2)...
【专利技术属性】
技术研发人员：王亚琴，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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