【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造领域,特别是指一种LDMOS STI结构。本专利技术还涉及所述LDMOS STI结构的工艺方法。
技术介绍
在0.18μm BCD工艺中,使用常规STI(浅槽隔离结构)作为LDMOS漂移区场板介质,常规STI工艺的LDMOS结构如图1所示,图中在P型外延1中具有常规的STI沟槽,该沟槽一侧为漏区,沟槽的一部分位于多晶硅栅极之下。由于其STI的深度和刻蚀角度的限制,LDMOS的耐压和导通电阻无法做到最优化。主要原因是因为作为隔离使用的STI,其深度约其角度约80度,仿真和实际的硅结果表面,其导电通路上的Idlin电流受这层STI的影响很大,所以无法实现低导通电阻的LDMOS。另一方面,由于STI的填充介质使用的是化学淀积的氧化层HDP(HDP:高密度等离子体氧化层),而不是热氧化层,即STI沟槽内只有HDP氧化层,如图2所示,所以介质的可靠性没有Locos(局部场氧化)工艺的氧化层好,影响到了LDMOS的耐压和可靠性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种LDMOS的STI结构,优化导通电阻,提高耐压能力。本专利技术说要解决的另一技术问题在于提供所述LDMOS的STI结构的工艺方法。为解决上述问题,本专利技术所述的LDMOS STI结构,该STI结构作为LDMOS漂移区场板介质,所述的STI结构是复合沟槽,沟槽内由热氧化层包裹HDP氧化层。为解决上述问题,本专利技术所述的LDMOS STI结构的工艺方法,包含如下的工艺步骤:步骤1,在P型外延上一次生长一层二氧化硅层及一层氮化硅层;步骤2,光刻定义并刻蚀形成STI沟 ...
【技术保护点】
一种LDMOS STI结构,该STI结构作为LDMOS漂移区场板介质,其特征在于:所述的STI结构是复合沟槽,沟槽内由热氧化层包裹HDP氧化层。
【技术特征摘要】
1.一种LDMOS STI结构,该STI结构作为LDMOS漂移区场板介质,其特征在于:所述的STI结构是复合沟槽,沟槽内由热氧化层包裹HDP氧化层。2.制造如权利要求1的所述LDMOS STI结构的工艺方法,其特征在于:包含如下的工艺步骤:步骤1,在P型外延上一次生长一层二氧化硅层及一层氮化硅层;步骤2,光刻定义并刻蚀形成STI沟槽;步骤3,在STI沟槽内淀积一层热氧化层;步骤4,再进行S...
【专利技术属性】
技术研发人员:邢军军,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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