【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体处理方法，具体而言，涉及采用不同敏感性的光敏层的垂直叠 层的双曝光光刻方法及其实现结构。
技术介绍
在半导体制造中，采用光刻在光致抗蚀剂中构图特征。光致抗蚀剂层被暴露到入 射光，该入射光可以为深紫外(DUV)辐射、中紫外(MUV)辐射、或X射线辐射。可替代地，在 电子束光刻中，光致抗蚀剂层可被暴露到高能电子。光子或电子的能量使光致抗蚀剂的暴 露部分的化学组成改变，例如，通过交联、裂变、侧链去除等等。可以采用光致抗蚀剂的预烘 或后烘来使光致抗蚀剂层的曝光部分相对于光致抗蚀剂层的未曝光部分的化学特性改变 最大化。曝光的光致抗蚀剂被显影以相对于另一者去除光致抗蚀剂的曝光的部分的组和 光致抗蚀剂的未曝光部分的组中的一者。根据曝光后的化学性质的改变，光致抗蚀剂层分 为正光致抗蚀剂和负光致抗蚀剂。如果光致抗蚀剂在曝光后变得在化学上较不稳定，则该 光致抗蚀剂为正光致抗蚀剂。如果光致抗蚀剂在曝光后变得在化学上更稳定，则该光致抗 蚀剂为负光致抗蚀剂。在采用正光致抗蚀剂的情况下，通过显影去除正光致抗蚀剂的曝光 部分。在采用负光致抗蚀剂的情况下，通过显影去除正光致...
【技术保护点】
一种形成构图的结构的方法，包括以下步骤：在衬底上形成从底部到顶部为第二光致抗蚀剂层和第一光致抗蚀剂层的叠层；通过使第一曝光波长照射通过具有第一图形的第一掩模来光刻曝光所述第一光致抗蚀剂层，其中所述第一光致抗蚀剂层的至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分变为对第二曝光波长光学透明；以及通过使所述第二曝光波长照射通过具有第二图形的第二掩模来光刻曝光所述第二光致抗蚀剂层，其中在所述第二光致抗蚀剂层的至少一个光刻曝光的第二光致抗蚀剂部分中形成合成图形，其中所述第二合成图形与仅仅限制在所述至少一个光刻曝光的第一光致抗蚀剂部分的区域内的所述第二图形相同。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：CC陈，黄武松，李伟健，C萨尔玛，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，英芬能技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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